K4A8G165WG-BCWE | Samsung DDR4 8Gb ×16 SDRAM чип за памет | Високоскоростна, нисконапрежна промишлена памет

Преглед на продукта

K4A8G165WG-BCWE е 8Gb DDR4 SDRAM от Samsung Semiconductor, организирана като 512M × 16 и съвместима със стандарти JEDEC DDR4. Осигурява скорост на предаване на данни до 3200 Mbps при работа само при 1,2 V, гарантирайки изключителна производителност с ниско енергопотребление. Пакетът с 96 калайдисани топчета (FBGA) осигурява отлична цялостност на сигнала и компактни размери, което го прави идеален за сървъри, мрежови, автомобилни и промишлени системи, изискващи висока надеждност и термична стабилност.

Ключови характеристики

• Съответстващ на стандарта JEDEC DDR4 SDRAM
• Поддържа скорости на данните до 3200 Mbps (DDR4-3200)
• Работи при 1,2 V ± 0,06 V за ефективна нисконапрежна работа
• 16-битова ширина на данните за увеличена лентова ширина на чипа
• Интегриран DLL за прецизна синхронизация по време
• Поддържа автоматично обновяване, самостоятелно обновяване и режими за икономия на енергия
• Голям температурен диапазон на работа (-40°C до +95°C) за употреба в промишлени условия
• Компактният пакет с 96 калайдисани топчета (FBGA) осигурява превъзходна сигнализация и термична производителност

Приложения

• Модули за памет за сървъри и центрове за данни
• Мрежово и комуникационно оборудване
• Индустриална автоматизация и вградени системи за управление
• Автомобилни инфотеймънт и AI изчислителни устройства
• Битова електроника и напреднали дисплейни системи

Технически спецификации

Запитване за оферта

За актуални данни за наличност, цени и доставка на K4A8G165WG-BCWE, моля посочете Количество (Qty), необходимо време за доставка и целева цена в заявката за оферта (RFQ). Ще Ви предложим незабавно най-добрата оферта и подкрепа за комплектуване на BOM, спот доставки и управление на складовите запаси.