HMC327MS8GETR | 3–4GHz RF 파워 앰프 MMIC | GaAs InGaP RF 앰프

제품 개요

HMC327MS8GETR은 3GHz에서 4GHz 주파수 대역에서 작동하도록 설계된 고효율 RF 파워 앰프 MMIC입니다. GaAs InGaP 헤테로접합 바이폴라 트랜지스터(HBT) 기술을 기반으로 제작된 이 소자는 외부 부품이 최소화된 상태에서도 높은 이득과 높은 출력 전력을 제공합니다. 단일 +5V 전원으로 동작하며, 사용하지 않을 때 전류 소모를 줄이기 위해 파워다운 기능을 제공합니다. 노출 패들(exposed paddle)이 있는 소형 8리드 MSOP-EP 표면실장 패키지는 RF 성능과 열 성능을 향상시켜 무선 로컬 루프, WLAN, 고정형 무선 접속 및 기타 RF 파워 응용 분야에 이상적입니다.

주요 특징

• 주파수 범위: 3GHz ~ 4GHz RF 파워 앰프
• GaAs InGaP HBT MMIC 기술
• 고이득 RF 성능(~21dB)
• 최대 +30dBm의 포화 출력 전력
• 유휴 전류 감소를 위한 전원 차단 제어
• 단일 전원: +5V 동작
• 소형 8리드 MSOP-EP 표면 실장 패키지
• 개선된 RF 접지 및 열 성능을 위한 노출된 패들
• 최소한의 외부 부품 필요
• RoHS 준수

응용 분야

• 무선 로컬 루프(WLL) 및 광대역 무선 접속
• WLAN 및 포인트-투-멀티포인트 라디오
• 고정형 무선 및 백홀 통신 시스템
• 송신 체인용 RF 전력 프론트 엔드
• 마이크로파 송수신기 및 테스트 모듈
• 소형 앰플리파이어가 요구되는 고품질 RF 시스템

전기적 특성