HMC327MS8GETR | Amplificador de Potência RF MMIC 3–4 GHz | Amplificador RF GaAs InGaP

Visão geral do produto

O HMC327MS8GETR é um amplificador de potência RF MMIC de alta eficiência projetado para operação na faixa de frequência de 3 GHz a 4 GHz. Construído com tecnologia de transistor heterojunção bipolar (HBT) GaAs InGaP, o dispositivo oferece alto ganho e alta potência de saída com número mínimo de componentes externos. Opera com uma única fonte de +5 V e possui função de desligamento para reduzir o consumo de corrente quando não está em uso. Seu invólucro compacto SMT de 8 terminais MSOP-EP com base exposta melhora o desempenho RF e térmico, tornando-o ideal para loop local sem fio, WLAN, acesso sem fio fixo e outras aplicações de potência RF.

Principais Características

• Faixa de frequência: amplificador de potência RF de 3 GHz a 4 GHz
• Tecnologia MMIC GaAs InGaP HBT
• Alto ganho RF (~21 dB)
• Potência de saída saturada até +30 dBm
• Controle de desligamento para reduzir a corrente em espera
• Alimentação única: operação com +5 V
• Pacote compacto MSOP-EP de 8 terminais para montagem em superfície
• Placa exposta para melhor aterramento RF e desempenho térmico
• Mínimo número de componentes externos necessários
• Conformidade com RoHS

Aplicações

• Linha Local Sem Fio (WLL) e acesso sem fio de banda larga
• WLAN e rádios ponto-multiponto
• Comunicação fixa sem fio e sistemas de backhaul
• Front-end de potência RF para cadeias de transmissão
• Transceptores de micro-ondas e módulos de teste
• Sistemas RF de alto desempenho que exigem amplificadores compactos

Características Elétricas