HMC327MS8GETR | Penguat Daya RF MMIC 3–4 GHz | Penguat RF GaAs InGaP

Ikhtisar Produk

HMC327MS8GETR adalah penguat daya RF MMIC berperforma tinggi yang dirancang untuk beroperasi pada rentang frekuensi 3 GHz hingga 4 GHz. Dibangun menggunakan teknologi transistor bipolar heterojunction (HBT) GaAs InGaP, perangkat ini memberikan gain tinggi dan daya keluaran tinggi dengan komponen eksternal minimal. Perangkat ini beroperasi dari catu daya tunggal +5 V dan memiliki kemampuan power-down untuk mengurangi konsumsi arus saat tidak digunakan. Kemasan permukaan-mount MSOP-EP 8-kaki yang ringkas dengan pelat terbuka meningkatkan kinerja RF dan termal, menjadikannya ideal untuk loop lokal nirkabel, WLAN, akses nirkabel tetap, dan aplikasi daya RF lainnya.

Fitur Utama

• Rentang frekuensi: penguat daya RF 3 GHz hingga 4 GHz
• Teknologi MMIC GaAs InGaP HBT
• Gain RF tinggi (~21 dB)
• Daya keluaran jenuh hingga +30 dBm
• Kontrol power-down untuk mengurangi arus idle
• Catu daya tunggal: operasi +5 V
• Paket MSOP-EP 8-kaki yang ringkas, pemasangan permukaan
• Paddle terbuka untuk grounding RF dan kinerja termal yang lebih baik
• Komponen eksternal minimal yang diperlukan
• RoHS Memenuhi

Aplikasi

• Wireless Local Loop (WLL) dan akses nirkabel broadband
• WLAN dan radio titik-ke-banyak titik
• Komunikasi nirkabel tetap dan sistem backhaul
• Front end daya RF untuk rantai pemancar
• Transceiver microwave dan modul uji
• Sistem RF berkinerja tinggi yang membutuhkan penguat ringkas

Karakteristik Listrik