HMC327MS8GETR | 3–4 GHz MMIC RF Güç Kuvvetlendirici | GaAs InGaP RF Kuvvetlendirici

Ürün Genel Bakış

HMC327MS8GETR, 3 GHz ile 4 GHz frekans bandında çalışmak üzere tasarlanmış yüksek verimli bir RF güç kuvvetlendirici MMIC'tir. GaAs InGaP heterobilistlik bipolar transistör (HBT) teknolojisi kullanılarak üretilen bu cihaz, minimum dış bileşenle yüksek kazanç ve yüksek çıkış gücü sağlar. Tek +5 V besleme ile çalışır ve kullanılmadığında akım tüketimini azaltmak için kapatma özelliğine sahiptir. Açık ped ile kompakt 8 bacaklı MSOP-EP yüzeye montaj paketi, RF ve termal performansı artırarak kablosuz yerel döngü, WLAN, sabit kablosuz erişim ve diğer RF güç uygulamaları için ideal hale getirir.

Temel Özellikler

• Frekans aralığı: 3 GHz ile 4 GHz RF güç kuvvetlendirici
• GaAs InGaP HBT MMIC teknolojisi
• Yüksek RF kazancı (~21 dB)
• Doymuş çıkış gücü maksimum +30 dBm
• Düşük bekleme akımı için güç kapatma kontrolü
• Tek besleme: +5 V çalışma
• Kompakt 8 bacaklı MSOP-EP yüzeye montaj paketi
• İyileştirilmiş RF topraklaması ve termal performans için açık ped
• Minimum dış bileşen gerektirir
• RoHS Uyumlu

Uygulamalar

• Kablosuz Yerel Döngü (WLL) ve geniş bant kablosuz erişim
• WLAN ve noktadan-çoka noktaya radyolar
• Sabit kablosuz ve geri dönüş hattı iletişim sistemleri
• İletim zincirleri için RF güç ön ucu
• Mikrodalga transceiver'ları ve test modülleri
• Kompakt amplifikatörler gerektiren yüksek performanslı RF sistemleri

Elektriksel Özellikler