HMC327MS8GETR | Amplificador de potencia RF MMIC 3–4 GHz | Amplificador RF GaAs InGaP

Descripción del producto

El HMC327MS8GETR es un circuito integrado monolítico de microondas (MMIC) amplificador de potencia RF de alta eficiencia diseñado para funcionar en la banda de frecuencia de 3 GHz a 4 GHz. Fabricado con tecnología de transistores bipolares de heterounión GaAs InGaP (HBT), el dispositivo ofrece alta ganancia y alta potencia de salida con un número mínimo de componentes externos. Funciona con una única fuente de +5 V y dispone de función de apagado para reducir el consumo de corriente cuando no está en uso. Su compacto encapsulado superficial de 8 pines MSOP-EP con patilla inferior expuesta mejora el rendimiento RF y térmico, lo que lo hace ideal para bucle local inalámbrico, WLAN, acceso inalámbrico fijo y otras aplicaciones de potencia RF.

Las características clave

• Rango de frecuencia: amplificador de potencia RF de 3 GHz a 4 GHz
• Tecnología MMIC GaAs InGaP HBT
• Alta ganancia RF (~21 dB)
• Potencia de salida saturada hasta +30 dBm
• Control de apagado para reducir la corriente en reposo
• Alimentación única: funcionamiento a +5 V
• Paquete compacto MSOP-EP de 8 pines para montaje superficial
• Placa expuesta para una mejor conexión a tierra RF y rendimiento térmico
• Se requieren mínimos componentes externos
• Cumple con RoHS

Aplicaciones

• Bucle local inalámbrico (WLL) y acceso inalámbrico de banda ancha
• WLAN y radios punto-multipunto
• Comunicaciones inalámbricas fijas y sistemas de enlace troncal
• Front-end de potencia RF para cadenas de transmisión
• Transceptores de microondas y módulos de prueba
• Sistemas RF de alto rendimiento que requieren amplificadores compactos

Características Eléctricas