HMC327MS8GETR | Bộ khuếch đại công suất RF MMIC 3–4 GHz | Bộ khuếch đại RF GaAs InGaP

Tổng quan về Sản phẩm

HMC327MS8GETR là một vi mạch tích hợp (MMIC) bộ khuếch đại công suất RF hiệu suất cao, được thiết kế để hoạt động trong dải tần số từ 3 GHz đến 4 GHz. Được chế tạo bằng công nghệ transistor lưỡng cực nối dị loại (HBT) GaAs InGaP, thiết bị này cung cấp độ lợi cao và công suất đầu ra lớn với số lượng linh kiện ngoài tối thiểu. Thiết bị hoạt động với nguồn đơn +5 V và có khả năng tắt nguồn để giảm tiêu thụ dòng điện khi không sử dụng. Gói vỏ hàn bề mặt 8 chân MSOP-EP nhỏ gọn với phần tiếp đất lộ ra giúp cải thiện hiệu suất RF và tản nhiệt, làm cho nó lý tưởng cho các ứng dụng vòng lặp vô tuyến cục bộ, WLAN, truy cập vô tuyến cố định và các ứng dụng công suất RF khác.

Tính năng nổi bật

• Dải tần số: bộ khuếch đại công suất RF từ 3 GHz đến 4 GHz
• Công nghệ MMIC GaAs InGaP HBT
• Độ lợi RF cao (~21 dB)
• Công suất đầu ra bão hòa lên đến +30 dBm
• Điều khiển tắt nguồn để giảm dòng điện chờ
• Nguồn đơn: hoạt động ở +5 V
• Gói nhỏ gọn dạng gắn bề mặt, 8 chân MSOP-EP
• Bề mặt tiếp xúc phía dưới để cải thiện nối đất RF và hiệu suất tản nhiệt
• Yêu cầu rất ít thành phần ngoài
• Phù hợp với RoHs

Ứng dụng

• Vòng dây cục bộ không dây (WLL) và truy cập băng thông rộng không dây
• WLAN và radio điểm đến đa điểm
• Hệ thống viễn thông cố định và truyền dẫn ngược
• Mạch khuếch đại công suất RF cho chuỗi phát
• Bộ thu phát vi sóng và mô-đun kiểm tra
• Các hệ thống RF hiệu suất cao yêu cầu bộ khuếch đại nhỏ gọn

Đặc tính điện