Magas hatásfokú GaAs InGaP HBT MMIC teljesítményerősítő 3–4 GHz-es alkalmazásokhoz
Termék áttekintése
Az HMC327MS8GETR egy hatékony RF teljesítményerősítő MMIC, amely 3 GHz-től 4 GHz-ig terjedő frekvenciasávban működik. A GaAs InGaP heteroátmenetes bipoláris tranzisztor (HBT) technológián alapul, és minimális külső alkatrész mellett biztosít nagy nyereséget és magas kimeneti teljesítményt. Egyetlen +5 V tápfeszültségről üzemel, és rendelkezik kikapcsolási funkcióval az áramfogyasztás csökkentésére használaton kívül. Kompakt, 8 lábú MSOP-EP felületszerelt tokja, amelynek látható pados szerkezete javítja az RF és hőelvezetési teljesítményt, így ideális vezeték nélküli helyi hálózatokhoz, WLAN-hez, fix vezeték nélküli hozzáféréshez és egyéb RF teljesítményalkalmazásokhoz.
Főbb jellemzők
Alkalmazások
Elektromos jellemzők
| Paraméter | Tipikus érték |
| Eszköz típus | RF Teljesítményerősítő MMIC |
| Hullámtartomány | 3 GHz – 4 GHz |
| Nyereség | ~21 dB |
| Teljesítményes kimeneti teljesítmény | +30 dBm |
| 1 dB-es kompressziós pont | +27 dBm (tip.) |
| A tápfeszültség | +5 V |
| Tápfeszültség-áram | ≈250 mA |
| Zaj Tényező | ~5 dB |
| Ellenőrzés | Kikapcsoló láb |
| Csomagolás | 8-lábú MSOP-EP |
| Működési hőmérséklet. | –40 °C ~ +85 °C |
| RoHS szabályozásnak megfelelő | RoHS megfelelőség |