K4A8G085WB-BCWE

หน่วยความจำ DDR4 SDRAM ประสิทธิภาพสูง 8Gb ที่ออกแบบมาสำหรับเซิร์ฟเวอร์ ระบบอุตสาหกรรม และแอปพลิเคชันเครือข่าย

คำอธิบายผลิตภัณฑ์

ภาพรวมผลิตภัณฑ์

K4A8G085WB-BCWE เป็นหน่วยความจำ DDR4 SDRAM ขนาด 8Gb จาก Samsung Semiconductor จัดเรียงเป็น 1G × 8 และเป็นไปตามมาตรฐาน JEDEC DDR4 รองรับอัตราการถ่ายโอนข้อมูลสูงสุด 3200 Mbps และทำงานที่แรงดัน 1.2V ให้ประสิทธิภาพ แบนด์วิธ และความน่าเชื่อถือระดับสูง แพคเกจ FBGA ขนาดเล็ก 96 ขา ช่วยให้มั่นใจได้ถึงสมรรถนะทางด้านความร้อนและการรักษาสัญญาณที่ยอดเยี่ยม ทำให้เหมาะสำหรับการใช้งานในเซิร์ฟเวอร์ อุตสาหกรรมควบคุม เครือข่าย และระบบฝังตัว

ลักษณะสําคัญ

หน่วยความจำ DDR4 SDRAM ที่สอดคล้องตามมาตรฐาน JEDEC
รองรับอัตราการถ่ายโอนข้อมูลสูงสุด 3200 Mbps (DDR4-3200)
ทำงานที่แรงดันต่ำ (1.2V ± 0.06V) เพื่อประสิทธิภาพสูง
สถาปัตยกรรม 8 แบงก์ ช่วยเพิ่มความสามารถในการเข้าถึงข้อมูลแบบขนาน
มี DLL ในตัวเพื่อการซิงโครไนซ์เวลาอย่างแม่นยำ
รองรับโหมดรีเฟรชอัตโนมัติ รีเฟรชตัวเอง และโหมดประหยัดพลังงาน
ช่วงอุณหภูมิการทำงานกว้าง (-40°C ถึง +95°C) เพื่อความน่าเชื่อถือระดับอุตสาหกรรม
แพคเกจ FBGA 96 ลูก ช่วยให้มั่นใจได้ถึงเสถียรภาพของสัญญาณและความร้อนที่เหนือกว่า

Applications

โมดูลเซิร์ฟเวอร์และศูนย์ข้อมูล
อุปกรณ์เครือข่ายและการกำหนดเส้นทาง
ระบบอัตโนมัติและควบคุมอุตสาหกรรม
หน่วยประมวลผลความบันเทิงในรถยนต์และปัญญาประดิษฐ์
อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์สำหรับผู้บริโภคและเมนบอร์ดแบบฝัง

ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค

พารามิเตอร์	ค่า
ความหนาแน่น	8 Gb (1G × 8)
อัตราการข้อมูล	3200 Mbps
VDD	1.2V ± 0.06V
แพ็คเกจ	96-Ball FBGA
มิติ	9 × 8 × 1.2 มม.
ช่วงอุณหภูมิ	-40°C ถึง +95°C
เวลา	CL = 22 ที่ 3200 Mbps
สถาปัตยกรรม	8 Bank
ฟังก์ชัน	DLL, การรีเฟรชอัตโนมัติ/อัตโนมัติ
อินเทอร์เฟซ	SSTL_12

ขอใบเสนอราคา

สำหรับข้อมูลสต็อก เปรียบเทียบราคา และการจัดส่งแบบเรียลไทม์ของ K4A8G085WB-BCWE กรุณาใส่จำนวนที่ต้องการ (Qty) ระยะเวลานำที่ต้องการ และราคาเป้าหมายในใบเสนอราคา (RFQ) ของเราทีมงานจะจัดทำใบเสนอราคาที่ดีที่สุดพร้อมการสนับสนุนด้านการจัดชุด BOM การจัดหาสินค้าแบบสปอต และการจัดการสต็อกสินค้าให้ท่านโดยทันที