K4A8G085WB-BCWE | Samsung DDR4 8Gb SDRAM-Speicherchip | Hochgeschwindigkeits-, Low-Power-Server- und Industriespeicher

PRODUKTOVERSICHT

K4A8G085WB-BCWE ist ein 8-Gb-DDR4-SDRAM von Samsung Semiconductor, organisiert als 1G × 8 und konform mit den JEDEC-DDR4-Standards. Mit Unterstützung von Datentransferraten bis zu 3200 Mbps und einem Betriebsspannungsniveau von 1,2 V bietet er hervorragende Effizienz, Bandbreite und Zuverlässigkeit. Sein kompaktes 96-Ball-FBGA-Gehäuse gewährleistet exzellente thermische Leistung und Signalintegrität und macht ihn ideal für Server, industrielle Steuerungen, Netzwerkanwendungen und eingebettete Systeme.

Hauptmerkmale

• JEDEC-konformer DDR4-SDRAM
• Unterstützt Datentransferraten bis zu 3200 Mbps (DDR4-3200)
• Betrieb bei niedriger Spannung (1,2 V ± 0,06 V) für hohe Effizienz
• 8-Bank-Architektur verbessert die Parallelität beim Datenzugriff
• Integrierte DLL für präzise Taktsynchronisation
• Unterstützt Automatische Aktualisierung, Selbstaktualisierung und energiesparende Modi
• Weiter Betriebstemperaturbereich (-40 °C bis +95 °C) für industrietaugliche Zuverlässigkeit
• 96-Ball-FBGA-Gehäuse sorgt für überlegene Signal- und thermische Stabilität

Anwendungen

• Server- und Rechenzentrumsmodule
• Netzwerk- und Routing-Geräte
• Industrieautomations- und Steuerungssysteme
• Automotive-Infotainmentsysteme und AI-Verarbeitungseinheiten
• Consumer-Elektronik und eingebettete Hauptplatinen

Technische Spezifikationen

Angebotsanfrage

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