K4A8G085WB-BCWE | Чип памяти Samsung DDR4 8 Гбит SDRAM | Высокоскоростная, энергоэффективная память для серверов и промышленных систем

Обзор продукта

K4A8G085WB-BCWE — это 8 Гбит DDR4 SDRAM от Samsung Semiconductor, организованная как 1 Г × 8 и соответствующая стандартам JEDEC DDR4. Поддерживает скорости передачи данных до 3200 Мбит/с и работает при напряжении 1,2 В, обеспечивая высокую эффективность, пропускную способность и надёжность. Компактный корпус 96-ball FBGA гарантирует отличные тепловые характеристики и целостность сигнала, что делает его идеальным решением для серверов, промышленной автоматики, сетевого оборудования и встраиваемых систем.

Ключевые особенности

• Соответствует стандарту JEDEC DDR4 SDRAM
• Поддерживает скорости передачи данных до 3200 Мбит/с (DDR4-3200)
• Работает при низком напряжении (1,2 В ± 0,06 В), обеспечивая высокую энергоэффективность
• архитектура с 8 банками улучшает параллелизм доступа к данным
• Встроенный DLL для точной синхронизации таймингов
• Поддерживает автоматическое обновление, режим самонаведения и энергосберегающие режимы
• Широкий диапазон рабочих температур (-40 °C до +95 °C) обеспечивает промышленный уровень надёжности
• корпус 96-ball FBGA обеспечивает превосходную стабильность сигнала и тепловые характеристики

Применения

• Модули серверов и центров обработки данных
• Сетевые устройства и маршрутизаторы
• Системы промышленной автоматизации и управления
• Автомобильные информационно-развлекательные системы и блоки обработки ИИ
• Бытовая электроника и встроенные материнские платы

Технические характеристики

Запрос котировки

Для получения актуальных данных о наличии на складе, ценах и сроках поставки K4A8G085WB-BCWE укажите в запросе предложение (RFQ) требуемое Количество (Qty), необходимое время поставки и целевую цену. Наша команда оперативно предоставит лучшее коммерческое предложение, а также поддержку по комплектации BOM, разовой поставке и управлению запасами.