K4A8G085WB-BCWE | Мікросхема пам'яті Samsung DDR4 8 Гб SDRAM | Висока швидкість, низьке енергоспоживання, для серверів та промислових систем

Огляд продукту

K4A8G085WB-BCWE — це 8 Гб DDR4 SDRAM від Samsung Semiconductor, організована як 1 Г × 8 і сумісна зі стандартами JEDEC DDR4. Підтримує швидкість передачі даних до 3200 Мбіт/с і працює при напрузі 1,2 В, забезпечуючи високу ефективність, пропускну здатність і надійність. Компактний корпус 96-ball FBGA забезпечує чудову теплову продуктивність і цілісність сигналу, що робить її ідеальною для серверів, промислової автоматики, мережевого обладнання та вбудованих систем.

Основні особливості

• DDR4 SDRAM, сумісна зі стандартом JEDEC
• Підтримка швидкості передачі даних до 3200 Мбіт/с (DDR4-3200)
• Працює при низькій напрузі (1,2 В ± 0,06 В) для високої ефективності
• архітектура з 8 банків покращує паралельність доступу до даних
• Інтегрований DLL для точного синхронізування таймінгів
• Підтримка автоматичного оновлення, самоновлення та режимів економії енергії
• Широкий діапазон робочих температур (-40°C до +95°C) забезпечує промислову надійність
• корпус 96-ball FBGA забезпечує виняткову стабільність сигналу та теплові характеристики

Застосування

• Модулі серверів і дата-центрів
• Пристрої мережі та маршрутизації
• Промислова автоматизація та системи керування
• Автомобільні інформаційно-розважальні системи та процесорні блоки штучного інтелекту
• Споживча електроніка та вбудовані материнські плати

Технічні специфікації

Запит на ціну

Для отримання актуальних даних про наявність на складі, ціни та терміни поставки K4A8G085WB-BCWE, будь ласка, вкажіть у запиті кількість (Qty), необхідний термін поставки та цільову ціну. Наша команда оперативно надасть найкращу пропозицію та підтримку щодо комплектації BOM, разових поставок та управління запасами.