K4A8G085WB-BCWE

8GB paměť DDR4 SDRAM s vysokým výkonem navržená pro servery, průmyslové systémy a síťové aplikace.

Popis výrobku

Přehled produktu

K4A8G085WB-BCWE je 8Gb DDR4 SDRAM od společnosti Samsung Semiconductor, uspořádaná jako 1G × 8 a kompatibilní se standardy JEDEC DDR4. Podporuje přenosové rychlosti až 3200 Mbps a pracuje napětím 1,2 V, čímž zajišťuje vysokou účinnost, širokou propustnost a spolehlivost. Kompaktní pouzdro 96-pin FBGA zajišťuje vynikající tepelný výkon a integritu signálu, což ji činí ideální pro servery, průmyslovou automatizaci, sítě a embedded systémy.

Klíčové vlastnosti

DDR4 SDRAM vyhovující normě JEDEC
Podpora přenosových rychlostí až 3200 Mbps (DDR4-3200)
Pracuje na nízkém napětí (1,2 V ± 0,06 V) pro vysokou účinnost
architektura s 8 bankami zlepšuje paralelismus přístupu k datům
Integrovaný DLL pro přesnou synchronizaci časování
Podporuje automatické obnovování, samoobnovování a režimy úspory energie
Široký provozní teplotní rozsah (-40 °C až +95 °C) pro průmyslovou spolehlivost
pouzdro 96-pin FBGA zajišťuje vysokou stabilitu signálu a teplotní stabilitu

Použití

Moduly pro servery a datová centra
Síťová a směrovací zařízení
Průmyslová automatizace a ovládací systémy
Automobilové infotainmenové systémy a jednotky pro zpracování umělé inteligence
Spotřební elektronika a vložené hlavní desky

Technické specifikace

Parametr	Hodnota
Hustota	8 Gb (1G × 8)
Datový přenos	3200 Mb/s
VDD	1,2 V ± 0,06 V
Balení	96-Ball FBGA
Rozměr	9 × 8 × 1,2 mm
Teplotní rozsah	-40 °C ~ +95 °C
Časování	CL = 22 při 3200 Mbps
Architektura	8 bank
Funkce	DLL, automatické/seberefreshování
Rozhraní	SSTL_12

Žádost o cenovou nabídku

Pro aktuální skladové zásoby, ceny a dodací informace k produktu K4A8G085WB-BCWE uveďte prosím ve svém RFQ množství (Qty), požadovanou dodací lhůtu a cílovou cenu. Náš tým vám rychle předloží nejlepší nabídku a podporu při sestavování BOM, dodávce ze skladu a správě zásob.