K4A8G085WB-BCWE

bộ nhớ DDR4 SDRAM 8Gb hiệu suất cao được thiết kế cho máy chủ, hệ thống công nghiệp và các ứng dụng mạng.

Mô tả Sản phẩm

Tổng quan về Sản phẩm

K4A8G085WB-BCWE là chip nhớ DDR4 SDRAM 8Gb của Samsung Semiconductor, được cấu trúc thành 1G × 8 và tuân thủ tiêu chuẩn JEDEC DDR4. Hỗ trợ tốc độ truyền dữ liệu lên đến 3200 Mbps và hoạt động ở điện áp 1.2V, sản phẩm mang lại hiệu suất, băng thông và độ tin cậy vượt trội. Vỏ bọc FBGA 96 chân nhỏ gọn đảm bảo hiệu suất nhiệt tốt và độ toàn vẹn tín hiệu cao, lý tưởng cho các ứng dụng máy chủ, điều khiển công nghiệp, mạng và hệ thống nhúng.

Tính năng nổi bật

Bộ nhớ DDR4 SDRAM tuân thủ chuẩn JEDEC
Hỗ trợ tốc độ dữ liệu lên đến 3200 Mbps (DDR4-3200)
Hoạt động ở điện áp thấp (1,2V ± 0,06V) để đạt hiệu suất cao
kiến trúc 8 bank cải thiện tính song song trong truy xuất dữ liệu
Tích hợp DLL để đồng bộ hóa thời gian chính xác
Hỗ trợ chế độ làm tươi tự động, làm tươi tự duy trì và chế độ tiết kiệm điện
Dải nhiệt độ hoạt động rộng (-40°C đến +95°C) đảm bảo độ tin cậy cấp công nghiệp
vỏ bọc FBGA 96 chân đảm bảo độ ổn định tín hiệu và nhiệt độ vượt trội

Ứng dụng

Các mô-đun máy chủ và trung tâm dữ liệu
Thiết bị mạng và định tuyến
Hệ thống tự động hóa và điều khiển công nghiệp
Các bộ xử lý giải trí và AI trên xe hơi
Thiết bị điện tử tiêu dùng và bo mạch chủ nhúng

Thông số kỹ thuật

Thông số kỹ thuật	Giá trị
Mật độ	8 Gb (1G × 8)
Tỷ lệ dữ liệu	3200 Mbps
VDD	1.2V ± 0.06V
Bao bì	vỏ 96 chân FBGA
Kích thước	9 × 8 × 1,2 mm
Phạm vi nhiệt độ	-40°C ~ +95°C
Hẹn giờ	CL = 22 @ 3200 Mbps
Kiến trúc	8 Bank
Chức năng	DLL, Làm mới tự động/tự động làm mới
Giao diện	SSTL_12

Yêu cầu báo giá

Để có thông tin tồn kho, giá cả và giao hàng thực tế của K4A8G085WB-BCWE, vui lòng cung cấp Số lượng (Qty), Thời gian giao hàng yêu cầu và Giá mục tiêu trong RFQ của bạn. Đội ngũ của chúng tôi sẽ nhanh chóng cung cấp báo giá tốt nhất cùng hỗ trợ đóng gói BOM, cung ứng linh kiện rời và quản lý tồn kho.