K4A8G085WB-BCWE | Chip de memoria Samsung DDR4 8Gb SDRAM | Memoria de alto rendimiento y bajo consumo para servidores e industriales

Descripción del producto

K4A8G085WB-BCWE es una DDR4 SDRAM de 8 Gb de Samsung Semiconductor, organizada como 1G × 8 y compatible con los estándares JEDEC DDR4. Con tasas de transferencia de datos de hasta 3200 Mbps y un voltaje de operación de 1,2 V, ofrece una eficiencia, ancho de banda y fiabilidad superiores. Su paquete compacto FBGA de 96 bolas garantiza un excelente rendimiento térmico y una integridad de señal óptima, lo que la hace ideal para servidores, control industrial, redes y sistemas embebidos.

Las características clave

• SDRAM DDR4 conforme con JEDEC
• Admite velocidades de datos de hasta 3200 Mbps (DDR4-3200)
• Funciona a baja tensión (1,2 V ± 0,06 V) para una alta eficiencia
• la arquitectura de 8 bancos mejora el paralelismo en el acceso a los datos
• DLL integrado para sincronización precisa de tiempos
• Soporta modos de autoactualización, autorefresco y ahorro de energía
• Amplio rango de temperatura de operación (-40 °C a +95 °C) para una fiabilidad industrial
• el paquete FBGA de 96 bolas garantiza una estabilidad térmica y de señal superior

Aplicaciones

• Módulos de servidores y centros de datos
• Dispositivos de red y enrutamiento
• Sistemas de automatización y control industrial
• Unidades de infotainment y procesamiento de IA para automóviles
• Electrónica de consumo y placas base embebidas

Especificaciones técnicas

Solicitud de cotización

Para obtener existencias, precios y tiempos de entrega en tiempo real del K4A8G085WB-BCWE, incluya su Cantidad (Qty), Tiempo de Entrega Requerido y Precio Objetivo en su RFQ. Nuestro equipo proporcionará rápidamente la mejor cotización y soporte para kit de materiales (BOM), suministro puntual y gestión de inventario.