16 Gb wydajna pamięć DDR5 ×8 SDRAM przeznaczona do serwerów, systemów inferencji AI oraz aplikacji HPC.
Przegląd produktu
K4RAH086VB-BCWM000 to pamięć DDR5 SDRAM o pojemności 16Gb produkowana przez Samsung Semiconductor, o organizacji 2G × 8, w pełni zgodna ze standardami JEDEC DDR5. Działająca przy napięciu 1,1 V, obsługuje prędkości do 5600 Mb/s, zapewniając znaczące ulepszenia pod względem przepustowości, opóźnień i efektywności energetycznej w porównaniu z DDR4.
Dzięki zintegrowanemu PMIC i korekcji błędów ECC na układzie, urządzenie zapewnia doskonałą stabilność zasilania i integralność danych, co czyni je idealnym rozwiązaniem dla serwerów, akceleratorów sztucznej inteligencji, systemów sieciowych, obliczeń brzegowych oraz platform przemysłowych.
Kluczowe cechy
Zastosowania
Specyfikacje techniczne
| Parametr | Wartość |
| Gęstość | 16 GB (2G × 8) |
| Wskaźnik danych | 5600 Mbps |
| VDD | 1,1 V ± 0,05 V |
| Poprawa błędu | ECC wbudowane w krzem |
| PMIC | Wbudowane |
| Opakowanie | 96-Ball FBGA |
| Wymiary | 9 × 8 × 1,2 mm |
| Architektura | 8 banków × 2 × 32-bitowe |
| Zakres temperatur | -40°C ~ +95°C |
| Tryb zasilania | Automatyczne odświeżanie / Głębsze uśpienie |
| Interfejs | POD_11 |
Prośba o wycenę
Aby uzyskać aktualne dane dotyczące stanu magazynowego, cen i terminów dostawy produktu K4RAH086VB-BCWM000, prosimy o podanie ilości (Qty), wymaganego czasu realizacji oraz docelowej ceny w formularzu RFQ. Nasz zespół prześle najlepszą ofertę oraz wsparcie w zakresie kompletowania list materiałowych (BOM), dostaw pojedynczych elementów i zarządzania zapasami.