sDRAM DDR5 de alto rendimiento de 16 Gb ×8 para servidores, sistemas de inferencia de IA y aplicaciones de computación de alto rendimiento (HPC).
Descripción del producto
K4RAH086VB-BCWM000 es una SDRAM DDR5 de 16 Gb de Samsung Semiconductor, organizada como 2G × 8 y completamente compatible con los estándares JEDEC DDR5. Funcionando a 1.1 V, admite velocidades de hasta 5600 Mbps, ofreciendo mejoras significativas en ancho de banda, latencia y eficiencia energética en comparación con DDR4.
Con un PMIC integrado y ECC en el chip, el dispositivo ofrece una estabilidad de energía superior y una integridad de datos óptima, lo que lo hace ideal para servidores, aceleradores de IA, sistemas de red, computación perimetral y plataformas de grado industrial.
Las características clave
Aplicaciones
Especificaciones técnicas
| Parámetro | Valor |
| Densidad | 16 Gb (2G × 8) |
| Tasa de datos | 5600 Mbps |
| VDD | 1,1 V ± 0,05 V |
| Corrección de errores | ECC integrado |
| PMIC | Incorporado |
| Paquete | fBGA de 96 bolas |
| Dimensión | 9 × 8 × 1,2 mm |
| Arquitectura | 8 bancos × 2 × 32 bits |
| Rango de temperatura | -40°C ~ +95°C |
| Modo de alimentación | Auto-refresco / Suspensión profunda |
| Interfaz | POD_11 |
Solicitud de cotización
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