K4RAH086VB-BCWM000

16 Gb Hochleistungs-DDR5 ×8 SDRAM für Server, KI-Schlussfolgerungssysteme und HPC-Anwendungen.

Produktbeschreibung

PRODUKTOVERSICHT

K4RAH086VB-BCWM000 ist ein 16Gb DDR5 SDRAM von Samsung Semiconductor, organisiert als 2G × 8 und vollständig konform mit den JEDEC DDR5-Standards. Bei einer Betriebsspannung von 1,1 V unterstützt er Geschwindigkeiten bis zu 5600 Mbps und bietet im Vergleich zu DDR4 deutliche Verbesserungen bei Bandbreite, Latenz und Energieeffizienz.

Mit einem integrierten PMIC und On-Die-ECC bietet das Gerät eine hervorragende Stromstabilität und Datensicherheit, wodurch es ideal für Server, KI-Beschleuniger, Netzwerksysteme, Edge-Computing und industrietaugliche Plattformen ist.

Hauptmerkmale

JEDEC-konformer DDR5-SDRAM
Unterstützt bis zu 5600 Mbps Datenrate (DDR5-5600)
Arbeitet bei 1,1 V ± 0,05 V für höhere Energieeffizienz
Integrierter PMIC für verbessertes Strommanagement
On-Die-ECC für verbesserte Fehlerkorrektur und Datensicherheit
Zweikanalige 32-Bit-Architektur
Stromsparmodi einschließlich Deep Power-Down und Auto-Refresh
96-poliges FBGA-Gehäuse, optimiert für Hochleistungssysteme

Anwendungen

Datencenter-Server
KI-Inferenz- und Deep-Learning-Beschleuniger
High-Performance Computing (HPC)
Netzwerk- und Kommunikationshardware
Industrieautomatisierung und eingebettete Steuerungssysteme

Technische Spezifikationen

Parameter	Wert
Dichte	16 Gb (2G × 8)
Datenrate	5600 Mbps
VDD	1,1 V ± 0,05 V
Fehlerkorrektur	On-Die-ECC
Pmic	Eingebaut
Verpackung	96-Ball FBGA
Abmessung	9 × 8 × 1,2 mm
Architektur	8 Bank × 2 × 32-Bit
Temperaturbereich	-40 °C ~ +95 °C
Betriebsart	Automatische Aktualisierung / Tiefer Schlaf
Schnittstelle	POD_11

Angebotsanfrage

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