K4RAH086VB-BCWM000 | Samsung DDR5 16Gb ×8 SDRAM | Memória de alto desempenho para servidores e computação de IA

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K4RAH086VB-BCWM000

sDRAM DDR5 de alto desempenho de 16 Gb ×8 para servidores, sistemas de inferência de IA e aplicações de computação de alto desempenho (HPC).

Visão geral do produto

K4RAH086VB-BCWM000 é uma SDRAM DDR5 de 16 Gb da Samsung Semiconductor, organizada como 2G × 8 e totalmente compatível com os padrões JEDEC DDR5. Operando a 1,1 V, suporta velocidades de até 5600 Mbps, oferecendo melhorias significativas em largura de banda, latência e eficiência energética em comparação com o DDR4.

Com um PMIC integrado e ECC no die, o dispositivo oferece superior estabilidade de energia e integridade de dados, tornando-o ideal para servidores, aceleradores de IA, sistemas de rede, computação de borda e plataformas industriais.

 

Principais Características

  • SDRAM DDR5 compatível com JEDEC
  • Suporta taxa de dados de até 5600 Mbps (DDR5-5600)
  • Opera em 1,1 V ± 0,05 V para maior eficiência energética
  • PMIC integrado para gerenciamento de energia aprimorado
  • ECC no die para melhor correção de erros e confiabilidade de dados
  • Arquitetura dual-channel de 32 bits
  • Modos de baixo consumo, incluindo desligamento profundo e autoatualização
  • pacote FBGA de 96 bolas otimizado para sistemas de alto desempenho

 

Aplicações

  • Servidores de data center
  • Aceleradores de inferência de IA e aprendizado profundo
  • Computação de alto desempenho (HPC)
  • Hardware de rede e comunicação
  • Automação industrial e sistemas de controle embarcados

 

Especificações Técnicas

Parâmetro Valor
Densidade 16 Gb (2G × 8)
Taxa de dados 5600 Mbps
VDD 1,1 V ± 0,05 V
Correção de Erros ECC no die
PMIC Embutidos
Pacote fBGA de 96 esferas
Dimensão 9 × 8 × 1,2 mm
Arquitetura 8 bancos × 2 × 32 bits
Faixa de temperatura -40°C ~ +95°C
Modo de energia Autoatualização / Modo de suspensão profunda
Interface POD_11

 

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