K4RAH086VB-BCWM000

bộ nhớ SDRAM DDR5 ×8 hiệu suất cao 16Gb dành cho máy chủ, hệ thống suy luận trí tuệ nhân tạo và các ứng dụng HPC.

Mô tả Sản phẩm

Tổng quan về Sản phẩm

K4RAH086VB-BCWM000 là chip SDRAM DDR5 16Gb do Samsung Semiconductor sản xuất, được tổ chức thành 2G × 8 và hoàn toàn tương thích với tiêu chuẩn JEDEC DDR5. Hoạt động ở mức điện áp 1.1V, sản phẩm hỗ trợ tốc độ lên đến 5600 Mbps, mang lại sự cải thiện đáng kể về băng thông, độ trễ và hiệu quả năng lượng so với DDR4.

Với PMIC tích hợp và ECC trên die, thiết bị cung cấp độ ổn định điện năng và tính toàn vẹn dữ liệu vượt trội, làm cho nó lý tưởng cho các máy chủ, bộ tăng tốc AI, hệ thống mạng, điện toán biên và các nền tảng công nghiệp.

Tính năng nổi bật

Bộ nhớ DDR5 SDRAM tuân thủ tiêu chuẩn JEDEC
Hỗ trợ tốc độ dữ liệu lên đến 5600 Mbps (DDR5-5600)
Hoạt động ở mức 1,1V ± 0,05V để đạt hiệu quả năng lượng cao hơn
PMIC tích hợp để quản lý nguồn nâng cao
ECC trên die để cải thiện khả năng sửa lỗi và độ tin cậy dữ liệu
Kiến trúc hai kênh 32-bit
Chế độ tiết kiệm điện bao gồm tắt nguồn sâu và tự làm mới
gói FBGA 96 chân được tối ưu hóa cho các hệ thống hiệu suất cao

Ứng dụng

Máy chủ trung tâm dữ liệu
Bộ tăng tốc suy luận AI và học sâu
Máy tính hiệu suất cao (HPC)
Thiết bị mạng và truyền thông
Hệ thống tự động hóa công nghiệp và điều khiển nhúng

Thông số kỹ thuật

Thông số kỹ thuật	Giá trị
Mật độ	16 Gb (2G × 8)
Tỷ lệ dữ liệu	5600 Mbps
VDD	1.1V ± 0.05V
Sửa lỗi	ECC trên die
PMIC	Tích hợp
Bao bì	vỏ 96 chân FBGA
Kích thước	9 × 8 × 1,2 mm
Kiến trúc	8 Bank × 2 × 32-bit
Phạm vi nhiệt độ	-40°C ~ +95°C
Chế độ điện	Tự động làm mới / Ngủ sâu
Giao diện	POD_11

Yêu cầu báo giá

Để biết thông tin tồn kho, giá cả và thời gian giao hàng thực tế của K4RAH086VB-BCWM000, vui lòng cung cấp Số lượng (Qty), Thời gian giao hàng yêu cầu và Giá mục tiêu trong RFQ. Đội ngũ của chúng tôi sẽ phản hồi với báo giá tốt nhất cùng hỗ trợ đóng gói BOM, cung ứng hàng lẻ và quản lý tồn kho.