16Gb mataas na pagganap na DDR5 ×8 SDRAM para sa mga server, sistema ng AI inference, at HPC na aplikasyon.
Pangkalahatang-ideya ng Produkto
Ang K4RAH086VB-BCWM000 ay isang 16Gb DDR5 SDRAM mula sa Samsung Semiconductor, na organisado bilang 2G × 8 at ganap na sumusunod sa mga pamantayan ng JEDEC DDR5. Nag-ooperate ito sa 1.1V, sumusuporta sa bilis hanggang 5600 Mbps, na nagbibigay ng makabuluhang pagpapabuti sa bandwidth, latency, at kahusayan sa enerhiya kumpara sa DDR4.
Sa isang pinagsamang PMIC at on-die ECC, ang device ay nagbibigay ng mahusay na katatagan ng kuryente at integridad ng data, na ginagawa itong perpekto para sa mga server, AI accelerators, networking system, edge computing, at mga platapormang pang-industriya.
Mga Pangunahing katangian
Mga Aplikasyon
Teknikal na Espekifikasiyon
| Parameter | Halaga |
| Densidad | 16 Gb (2G × 8) |
| Rate ng data | 5600 Mbps |
| VDD | 1.1V ± 0.05V |
| Pag-aayos ng Pagkakamali | On-die ECC |
| PMIC | Naka-imbak |
| PACKAGE | 96-Ball FBGA |
| Sukat | 9 × 8 × 1.2 mm |
| Arkitektura | 8 Bank × 2 × 32-bit |
| Saklaw ng Temp | -40°C ~ +95°C |
| Modo ng kapangyaman | Auto-refresh / Deep Sleep |
| Interface | POD_11 |
Kahilingan ng Quotation
Para sa real-time na stock, presyo, at detalye ng paghahatid ng K4RAH086VB-BCWM000, mangyaring isama ang iyong Dami (Qty), Kinakailangang Lead Time, at Target na Presyo sa RFQ. Ang aming koponan ay sasagot gamit ang pinakamahusay na quotation at suporta para sa BOM kitting, spot supply, at pamamahala ng inventory.