16 Гбіт високопродуктивної DDR5 ×8 SDRAM для серверів, систем штучного інтелекту та HPC-застосувань.
Огляд продукту
K4RAH086VB-BCWM000 — це 16 Гб DDR5 SDRAM від Samsung Semiconductor, організована як 2 Г × 8 і повністю сумісна зі стандартами JEDEC DDR5. Працюючи при напрузі 1,1 В, вона підтримує швидкість до 5600 Мбіт/с, забезпечуючи значний приріст у смузі пропускання, затримці та енергоефективності порівняно з DDR4.
З інтегрованим PMIC та ECC на кристалі, пристрій забезпечує високу стабільність живлення та цілісність даних, що робить його ідеальним для серверів, прискорювачів штучного інтелекту, мережевих систем, обчислень на периферії та промислових платформ.
Основні особливості
Застосування
Технічні специфікації
| Параметр | Значення |
| Щільність | 16 Гб (2Г × 8) |
| Швидкість передачі даних | 5600 Мбіт/с |
| VDD | 1,1 В ± 0,05 В |
| Виправлення помилок | On-die ECC |
| PMIC | ВБУДОВАНИЙ |
| Пакування | 96-Ball FBGA |
| Розмір | 9 × 8 × 1,2 мм |
| Архітектура | 8 банків × 2 × 32-біт |
| Температурний діапазон | -40°C ~ +95°C |
| Режим потужності | Автоматичне оновлення / Глибокий режим сну |
| Інтерфейс | POD_11 |
Запит на ціну
Для отримання актуальних даних про наявність на складі, ціни та строки доставки K4RAH086VB-BCWM000, будь ласка, вкажіть у запиті кількість (Qty), необхідний термін поставки та цільову ціну. Наша команда надасть найкращу пропозицію та підтримку щодо комплектації BOM, разових поставок і управління запасами.