ESD ကိုနားလည်ခြင်း - လျှပ်စီးဆွဲမှုသည် အထူးခြောက်သွေ့သောလျှပ်စစ်ပစ္စည်းများကို မည်သို့ပျက်စီးစေပါသနည်း

ESD ၏ရူပဗေဒ - CMOS IC များတွင် ဂိတ်အောက်ဆိုဒ် ကွဲအက်မှုနှင့် Latch-Up ဖြစ်ပွားမှု

ESD သည် စတက်တစ်ဆးလျှပ်စစ်ဓာတ်အားများ စုဝေးပြီးနောက် လျှပ်စစ်ဓာတ်အားခြားနားမှုရှိသော အရာများကြားသို့ ခုန်သည့်အခါ ဖြစ်ပေါ်လာခြင်းဖြစ်သည်။ ၎င်းကို ဘာကြောင့် အန္တရာယ်ရှိသည်ဟု ဆိုရမည်နည်း။ ထိုရုတ်တရက် ဖြစ်ပေါ်လာသော ဗို့အားမြင့်တက်မှုများသည် ထောင်ချီသော ဗို့အားရှိသော်လည်း ကျွန်ုပ်တို့၏ မျက်စိဖြင့် လုံးဝမမြင်နိုင်ပါ။ CMOS ချစ်ပ်များအတွက် ထိုစွမ်းအင်သည် အားနည်းသောနေရာများကို ပထမဆုံး တိုက်ခိုက်ပါသည်။ ဗို့အားမြင့်တက်မှုများသည် တံခါးပေါက်အောက်ဆိုဒ်အလွှာများကို ဖြတ်သန်းကာ ထရားန်စစ်တာများကို ချက်ချင်း ပျက်စီးစေပါသည်။ နောက်ထပ်ပြဿနာတစ်ခုလည်း ရှိပါသေးသည်။ ချစ်ပ်၏ အောက်ခံပိုင်းတွင် ပုန်းအောင်းနေသော ပါရာဆီးတစ်ဆီလီကွန် ထိန်းချုပ်သော ဒိုင်အိုဒ်များသည် ESD ဖြစ်ပွားစဉ် လှုံ့ဆော်မှုခံရပါက အလိုအလျောက် လုပ်ဆောင်ကာ အားပျက်စီးစေသော လျှပ်စီးကြောင်းများ လွတ်လပ်စွာ စီးဆင်းနိုင်သော အခြေအနေကို ဖန်တီးပေးပါသည်။ တစ်ခါတစ်ရံတွင် အမ်ပီယာ အနည်းငယ်အထိ စွမ်းအင်ကို ဖြစ်ပေါ်စေနိုင်ပါသည်။ ခေတ်မီ ပေါင်းစပ် ဆားကစ်များသည် ပိုမိုသေးငယ်လာပြီး ယခင်ကထက် ပိုမိုနိမ့်သော ဗို့အားဖြင့် အလုပ်လုပ်ကိုင်လာကြပြီး တစ်ချို့ကိစ္စများတွင် ၁.၂ ဗို့အထိ ကျဆင်းလာပါသည်။ ကျွန်ုပ်တို့၏ အာရုံခံစားမှုများဖြင့် မခံစားနိုင်သော ၁၀၀ ဗို့ခန့်သာ ရှိသော်လည်း ချစ်ပ်ကို လုံးဝပျက်စီးစေနိုင်ပါသည်။ အပူချိန် မော်ဒယ်များအရ အမ်ပီယာ ၁၀ ကျော်ရှိသော လျှပ်စီးကြောင်း တိုတောင်းသော တက်မှုများသည် ချစ်ပ်အတွင်းရှိ အလွန်သေးငယ်သော ဆက်သွယ်မှုများကို သန်း ၅၀၀ တစ်ဝက်ထက် ပိုမိုမြန်ဆန်သော အချိန်အတွင်း အရည်ပျော်စေနိုင်ကြောင်း ပြသပါသည်။ ထို့ကြောင့် ESD ကာကွယ်မှုကို ရိုးရိုးသာ လုပ်ထားရန် မဟုတ်တော့ဘဲ လျှပ်စစ်ပစ္စည်းများ ကျိုးပဲ့ပျက်စီးခြင်းမှ ကာကွယ်ရန် အလွန်အရေးကြီးလာပါသည်။

ESD ပျက်စီးမှုအမျိုးအစားများ - သေဆုံးစေသော၊ မှီးနေသော၊ နှင့် ပါရာမီတာ ချို့ယွင်းမှုများ

လျှပ်စစ်စက်ပစ္စည်းများကို ပျက်စီးစေသည့် အခြေအနေများတွင် လျှပ်စီးပြတ်တောက်မှု (Electrostatic discharge) သည် အဓိကအားဖြင့် နည်းလမ်း (၃) မျိုးဖြင့် ဖြစ်ပေါ်လေ့ရှိပြီး ကိရိယာများ အသက်ရှင်လာသည်နှင့်အမျှ ဤပြဿနာများသည် တဖြည်းဖြည်း ပိုမိုဆိုးရွားလာသည်။ အသိသာရှိဆုံးမှုမှာ ကိရိယာသည် စမ်းသပ်မှုအတွင်း မီးလောင်ကျွမ်းသော အစိတ်အပိုင်းများ သို့မဟုတ် ကျွမ်းပျော်နေသော သတ္တုလမ်းကြောင်းများကဲ့သို့ မျက်စိဖြင့်မြင်နိုင်သော ပျက်စီးမှုများကြောင့် ချက်ချင်းပျက်စီးသွားသည့် ကျူးကျော်ပျက်စီးမှု (catastrophic failure) ဖြစ်သည်။ နောက်တစ်ခုမှာ ပို၍ လျှို့ဝှက်သော နှေးကွေးသော ပျက်စီးမှု (latent damage) ဖြစ်သည်။ ဆီမီကွန်ဒပ်တာ ချိတ်ဆက်မှုများတွင် အလွန်သေးငယ်သော အပေါက်များ ဖြစ်ပေါ်လာခြင်း သို့မဟုတ် ဂိတ်အောက်ဆိုဒ်များ တဖြည်းဖြည်းပျက်စီးလာခြင်းများ ဖြစ်ပေါ်လာနိုင်သည်။ ဤပြဿနာများသည် အစပိုင်းစမ်းသပ်မှုများကို အောင်မြင်နိုင်သော်လည်း နောက်ဆုံးတွင် ကုန်ပစ္စည်းများ အသုံးပြုနေစဉ်အတွင်း စောစောပိုင်းတွင် ပျက်စီးမှုများ ဖြစ်စေနိုင်သည်။ လုပ်ငန်းခွင်အစီရင်ခံစာများအရ မှိန်းကွဲနေသော ESD ပျက်စီးမှုရှိသည့် ဘုတ်များသည် သင့်တော်သင့်ရှိသင့်သည့် သက်တမ်း၏ ၄၀ မှ ၆၀ ရာခိုင်နှုန်းသာ ရှင်သန်နိုင်ကြောင်း ဖော်ပြထားသည်။ ပါရာမီတာ ပျက်စီးမှု (Parametric failures) သည် ပြည့်ဝသော ပျက်စီးမှုမရှိဘဲ လျှပ်စစ်ဂုဏ်သတ္တိများ ပြောင်းလဲသွားခြင်းဖြစ်သည်။ ဥပမာ - စီးဆင်းမှုများ တိုးလာခြင်း သို့မဟုတ် ဗို့အားတန်ဖိုးများ စံသတ်မှတ်ချက်များကို ကျော်လွန်သွားခြင်းတို့သည် အချိန်ကာလနှင့် အချက်ပြအရည်အသွေးကို ပျက်ပြားစေသည်။ 2023 ခုနှစ် Ponemon သုတေသနအရ ကျူးကျော်ပျက်စီးမှုများကို ပြုပြင်ရန် တစ်ခုလျှင် အမေရိကန်ဒေါ်လာ ၅,၀၀၀ ခန့်ကုန်ကျပြီး နှေးကွေးသော ပြဿနာများကို ဖြေရှင်းရာတွင် ဘာကြောင့်ပျက်စီးသည်ကို ရှာဖွေဖြေရှင်းရန် အချိန်နှင့် အားထုတ်မှုများ လိုအပ်သောကြောင့် အာမခံကာလအတွင်း ကုန်ကျစရိတ်များကို ထိခိုက်စေသည်။ ကောင်းမွန်သော ESD ကာကွယ်မှုသည် ထုတ်လုပ်မှုလုပ်ငန်းစဉ်တစ်လျှောက် ကာကွယ်မှု၏ ကာကွယ်စီးခံအဆင့်များစွာဖြင့် ဤအခြေအနေအားလုံးကို ကာကွယ်ရန် လိုအပ်ပါသည်။

မိုက်ခရိုဆာကစ် ESD ကာကွယ်မှုစနစ်များနှင့် ကွဲပြားသော ဖြေရှင်းနည်းပစ္စည်းများ

TVS Diode များနှင့် Surge Suppressors များသည် ESD စွမ်းအင်ကို ဘယ်လိုပြောင်းရွှေ့ပေးသနည်း

TVS diode များသည် လူသားကိုယ်ခန္ဓာမော်ဒယ်စမ်းသပ်မှုမှ 8kV စတက်တစ်လွှဲထွက်ခြင်းကဲ့သို့သော အခြေအနေမျိုးဖြစ်ပေါ်လာပါက ချိတ်ဆက်ထားသော လျှပ်စစ်စက်ပိုင်းကို ကာကွယ်ပေးသည့် အဓိကကာကွယ်မှုစနစ်အဖြစ် လုပ်ဆောင်ပါသည်။ ဤကဲ့သို့သော အစိတ်အပိုင်းများကို ထိရောက်စေသည့် အချက်မှာ အောက်ခြေအခုခံမှု နှင့် မြင့်မားသော ဗို့အားတိုးမှုများကို အလွန်မြန်ဆန်စွာ ကန့်သတ်ပေးနိုင်သည့် လျှပ်စစ်ဓာတ်လွှတ်ခြင်း (low impedance avalanche breakdown) လုပ်ငန်းစဉ်ကြောင့်ဖြစ်ပါသည်။ ဤကိရိယာများသည် 30 အမ်ပီယာအထိ လျှပ်စီးကို ခံနိုင်ပြီး ထိုလျှပ်စီးများကို မြေကြီးသို့ လုံခြုံစွာ ပို့ဆောင်ပေးကာ နောက်ဆက်တွဲ ဆားကစ်များသည် လုံခြုံသော ဗို့အားအတွင်း ဆက်လက်လုပ်ဆောင်နိုင်စေပါသည်။ တုံ့ပြန်မှုအချိန်များမှာလည်း အလွန်မြန်ဆန်ပြီး တစ်နာနိုစက္ကန့်ထက် နည်းပါးတတ်ကာ USB 3.0 ပေါက်များ သို့မဟုတ် HDMI ကြိုးများတွင် တွေ့ရသည့် ခေတ်မီ အမြန်နှုန်းမြင့် ချိတ်ဆက်မှုများနှင့် အဘယ်ကြောင့် ထိရောက်စွာ အလုပ်လုပ်နိုင်သည်ကို ရှင်းပြပေးပါသည်။ ပိုမိုကြီးမားသော စွမ်းအင်ပြင်းထန်မှုများကို ကိုင်တွယ်ရန်အတွက် များစွာသော အလွှာ varistor များကို အသုံးပြုပါသည်။ ဤကိရိယာများသည် ကိရိယာအတွင်းရှိ သတ္တုအောက်ဆိုဒ် ပစ္စည်းများအတွင်း လျှပ်ကူးလွှင့်နေသော အီလက်ထရွန်များကို အသုံးပြုသည့် ကွဲပြားသော စနစ်တစ်ခုဖြင့် 20kV ထက်ပိုသော တိုက်ရိုက်မဟုတ်သော လျှပ်စစ်ဓာတ်အားများကို ကာကွယ်ပေးနိုင်ပါသည်။ ဤစွမ်းရည်ကြောင့် စက်မှုလုပ်ငန်းဆိုင်ရာ နေရာများရှိ ပါဝါပေးစွမ်းမှုလိုင်းများကို ကာကွယ်ရာတွင် အသုံးများပြီး ပြင်းထန်သော အခြေအနေများကြောင့် ပျက်စီးမှုများ ဖြစ်ပေါ်ခြင်းကို ကာကွယ်ပေးနိုင်ပါသည်။

လက်တွေ့အသုံးချမှုများတွင် ဖိအား၊ တုံ့ပြန်မှုအချိန်နှင့် TLP စရိုက်လက္ခဏာများ

လျှပ်စစ်သံလိုက်စီးကြောင်းမှ ကာကွယ်ခြင်းအတွက် အရေးကြီးဆုံးအချက်သုံးချက်ရှိပါသည်။ ဗို့အားပမာဏ၊ ကိရိယာ၏တုံ့ပြန်မှုအမြန်နှုန်းနှင့် လိုင်းလွှဲပြောင်းမှု (TLP) ဖြင့်စမ်းသပ်ပါက ဖြစ်ပျက်မှုများကို သိရှိနိုင်ပါသည်။ ဗို့ ၅ ဗို့အတွက် သတ်မှတ်ထားသော TVS diode ကို ဥပမာယူပါက အိုက်စီ၏ ဂိတ်အောက်ဆိုဒ်သည် ဗို့ ၁၀ ခန့်တွင် ပျက်စီးတတ်သောကြောင့် ဤကိရိယာသည် အိုက်စီများကို ကာကွယ်ပေးပါသည်။ 5G အင်တင်နာကဲ့သို့သော RF ကိရိယာများအတွက် နာနိုစက္ကန့်၏ တစ်ဝက်အောက် တုံ့ပြန်မှုအမြန်နှုန်းသည် အရေးပါပါသည်။ အကယ်၍ မလုပ်ပါက အလွန်သေးငယ်သော ပျက်စီးမှုများသည် အချိန်ကြာလာသည်နှင့်အမျှ စုစည်းလာနိုင်ပါသည်။ IEC 61000-4-2 စံနှုန်းများအရ TLP နည်းလမ်းဖြင့် စမ်းသပ်ခြင်းသည် ဤကိရိယာများ မည်သို့ပျက်စီးသည်ကို တိကျစွာပြသပေးပါသည်။ စီးကြောင်းနှင့် ဗို့အား ဂရပ်များကို ကြည့်ခြင်းဖြင့် အင်ဂျင်နီယာများသည် မည်သည့်အရာမှ ရုတ်တရက်ပြန်ကျသည် (snap back) သို့မဟုတ် ဖြည်းဖြည်းချင်းကလမ့် (clamp) သည်ကို သိရှိနိုင်ပါသည်။ ထုတ်လုပ်သူများတွေ့ရှိရသည်မှာ ကောင်းမွန်သော TVS diode များသည် အမ်ပီယာ ၃၀ ခန့်ရှိသော ပြင်းထန်သော ပြုတ်ထွက်မှုများအတွင်းတွင်ပင် ဒိုင်နမစ် သို့မဟုတ် အိုင်းဆက်တင်း (dynamic resistance) ကို အိုင်းဆက်တင်း ၁၀ အောက်တွင် ထိန်းသိမ်းနိုင်ပါသည်။ ဤအချက်သည် ခေတ်မီလျှပ်စစ်ပစ္စည်းများတွင် မြင့်မားသော ဖရီးကွင်စီ အချက်များကို ကိုင်တွယ်ရာတွင် ပေါလီမာအခြေပြု ဖြေရှင်းချက်များကို ကျော်လွန်နိုင်ပါသည်။

ESD ကာကွယ်တားဆီးမှုနည်းပညာများကို နှိုင်းယှဉ်ခြင်း

ကလပ်ပင်း၏တိကျမှုနှင့် လျှပ်စီးအားခံနိုင်မှုကို ဟန်ချက်ညီစွာ ထားရှိခြင်းသည် အရေးကြီးပါသည်။ အလွန်အကျူးဒီဇိုင်းဆွဲခြင်းသည် ကုန်ကျစရိတ်ကို မြင့်တက်စေပြီး ကာကွယ်မှုနည်းပါးခြင်းသည် CMOS latch-up ဖြစ်နိုင်ခြေကို မြှင့်တင်ပေးပါသည်။

ခေတ်မီလျှပ်စစ်ပစ္စည်းများအတွက် ထိရောက်သော ESD ကာကွယ်မှုဆားကစ်များကို ဒီဇိုင်းထုတ်ခြင်း

ကောင်းမွန်သော ESD ကာကွယ်ရေးစက္ကူးများကို ဒီဇိုင်းထုတ်ရန်အတွက် လျှပ်စစ်လှိုင်းများဝင်ရောက်လေ့ရှိသော ခလုတ်များနှင့် ထည့်သွင်း/ထုတ်လုပ်မှုပေါက်များအနီးတွင် TVS diodes ကဲ့သို့သော တားဆီးမှုပစ္စည်းများကို ထားရှိရန် အရေးကြီးပါသည်။ ကာကွယ်လိုသော ပစ္စည်းများကို ပျက်စီးစေနိုင်သည့် ဗို့အားအောက်တွင် ချိန်ညှိထားရန် လိုအပ်ပါသည်။ ထို့အတူပင် ဆက်သွယ်မှုအရည်အသွေးကို ထိန်းသိမ်းရန်အတွက် junction capacitance ကို နိမ့်ကျစေရန် လိုအပ်ပါသည်။ PCB ဘုတ်ပေါ်ရှိ ပိုမိုတိုတောင်းသော လမ်းကြောင်းများသည် trace inductance ကို လျှော့ချပေးကာ စနစ်တစ်ခုလုံး လိုအပ်ချိန်တွင် ပိုမိုကောင်းမွန်စွာ တုံ့ပြန်နိုင်စေပါသည်။ ယနေ့ခေတ် အင်ဂျင်နီယာအများစုသည် တစ်နေရာတည်းဖြင့် ကာကွယ်မှုထက် ပိုမိုခက်ခဲသော အခြေအနေများကို ပိုမိုကောင်းမွန်စွာ ကိုင်တွယ်နိုင်သောကြောင့် multi stage protection setups ကို ပိုမိုနှစ်သက်ကြပါသည်။ ANSI/ESD S20.20-2021 ကဲ့သို့သော စံနှုန်းများကို လိုက်နာခြင်းဖြင့် ထုတ်လုပ်သူများသည် ၎င်းတို့၏ ထုတ်ကုန်များသည် ရုတ်တရက် ပျက်စီးမှုများနှင့် အချိန်ကြာလာသည်နှင့်အမျှ ဖြစ်ပေါ်လာသော ဖြစ်စဉ်များကို ခံနိုင်ရည်ရှိကြောင်း စိတ်ချမ်းသာစေပါသည်။ ခေတ်မီခဲ့သော်လည်း ခေတ်မီနည်းပညာများတွင် မြန်ဆန်သော ဒေတာလွှဲပြောင်းမှုများအတွက် အရေးကြီးပါသည်။ ခေတ်မီနည်းပညာများတွင် ခေတ်မီနည်းပညာများတွင် မြန်ဆန်သော ဒေတာလွှဲပြောင်းမှုများအတွက် အရေးကြီးပါသည်။ ခေတ်မီနည်းပညာများတွင် မြန်ဆန်သော ဒေတာလွှဲပြောင်းမှုများအတွက် အရေးကြီးပါသည်။ ခေတ်မီနည်းပညာများတွင် မြန်ဆန်သော ဒေတာလွှဲပြောင်းမှုများအတွက် အရေးကြီးပါသည်။ TLP နည်းလမ်းများဖြင့် စနစ်အဆင့်တွင် စမ်းသပ်မှုများကို ဆက်လက်လုပ်ဆောင်ရန် လိုအပ်ပါသည်။ အဘယ်ကြောင့်ဆိုသော် ဓာတ်ခွဲခန်းရလဒ်များသည် နေရာတကာတွင် ဖြစ်ပေါ်နေသော မမျှော်လင့်သော စတိတ်တစ်ဖြစ်မှုများနှင့် အမြဲတမ်းကိုက်ညီခြင်းမရှိပါ။

ESD-Safe အလုပ်ခန်းများ - အလုပ်တင်းကျပ်မှုများမှ ထုပ်ပိုးမှုအထိ

ထုတ်လုပ်ရေးတွင် စတက်တစ်ဖြစ်ပွားမှုကို လျော့နည်းစေသော ကြမ်းပြင်နှင့် ISO 6360 လိုက်နာမှု

ESD အတွက် လုံခြုံသော ပတ်ဝန်းကျင်ဖန်တီးခြင်းသည် လျှပ်စီးကူးပါသော EPDM ကွက်များကဲ့သို့ ကောင်းမွန်သော ကြမ်းပြင်ပစ္စည်းများဖြင့် စတင်ပါသည်။ ဤကြမ်းပြင်များသည် ၎င်းတို့၏ မျက်နှာပြင် ခုခံမှုကို အိုမ် ၁ သန်းမှ ၁ ဘီလျှုန်းအတွင်း ထိန်းသိမ်းပေးပြီး စတက်တစ်လျှပ်စီးများ စုဝေးခြင်းအစား ဘေးကင်းစွာ ပျံ့နှံ့ကျော်လွန်သွားစေရန် ခွင့်ပြုပါသည်။ ISO 6360-5 စံနှုန်းများအရ လုပ်ငန်းများသည် ကြမ်းပြင်၏ ခုခံမှုနှင့် မြေကြီးချိတ်ဆက်မှုများကို ပုံမှန်စစ်ဆေးရန် လိုအပ်ပါသည်။ ERAI ၏ ၂၀၂၃ ခုနှစ် သုတေသနအရ ဤလမ်းညွှန်ချက်များကို လိုက်နာသော ကုမ္ပဏီများသည် မလိုက်နာသော ကုမ္ပဏီများထက် ESD ဖြစ်စဉ်များ ၇၅% ခန့် နည်းပါးစေကြောင်း တွေ့ရှိခဲ့ရပါသည်။ ဤစနစ်သည် ကြမ်းပြင်၊ အလုပ်လုပ်သည့် မျက်နှာပြင်များနှင့် မြေကြီးအကြား မြေကြီးချိတ်ဆက်မှုများကို ချိတ်ဆက်ခြင်းဖြင့် အလုပ်လုပ်ပါသည်။ ဤသို့ဖြင့် အီလက်ထရွန်းနစ် ထုတ်လုပ်မှုတွင် အသုံးပြုသော နူးညံ့သည့် စီးရီး စက်ကိရိယာများအတွက် ဘေးကင်းရာ threshold အဖြစ် ယူဆသည့် ဗို့အား ၁၀၀ ဗို့ထက် မပိုစေရန် ပြည့်စုံသော ဆားကစ်တစ်ခုကို ဖန်တီးပေးပါသည်။

Dual-Layer Shielding Bags နှင့် Faraday Cage မူများဖြင့် ဘေးကင်းစွာ သိုလှောင်ခြင်း

လောင်းသေတ္တာနှစ်ထပ်ပါသည့် အိတ်များသည် ဖာရေးဒေးကိတ်စနစ်များကို အခြေခံ၍ ပစ္စည်းများကို သိုလှောင်ခြင်း သို့မဟုတ် သယ်ဆောင်ခြင်းအတွင်း အန္တရာယ်ကြားမှ ကာကွယ်ပေးပါသည်။ အပြင်ချပ်တွင် သတ္တုဖြင့် ဖုံးအုပ်ထားသောကြောင့် အပြင်ဘက်မှ လျှပ်စစ်ဓာတ်များကို တိုက်ပြန်တွန်းလှန်ပေးပြီး အတွင်းပိုင်းတွင် အထူးပလပ်စတစ်ဖြင့် ပြုလုပ်ထားသောကြောင့် အိတ်အတွင်းရှိ စုဝေးနေသော လျှပ်စစ်ဓာတ်များကို ဖယ်ရှားပေးပါသည်။ ဤကာကွယ်ရေးအိတ်များသည် လျှပ်စစ်စတတ်စ်စွမ်းအင်ကို ဒက်စီဘယ် ၅၀ ခန့် လျှော့ချပေးနိုင်ပြီး IEC စံနှုန်းများအရ ဗို့အား ၈,၀၀၀ ခန့်ကျော် ပြန်လည်ဖြစ်ပေါ်မှုကို တားဆီးပေးပါသည်။ အိတ်၏ အပိတ်အဆို့ကို မှန်ကန်စွာ ပြုလုပ်ရန် အလွန်အရေးကြီးပါသည်။ အကယ်၍ အိတ်ကို မှန်ကန်စွာ ပိတ်ထားခြင်းမရှိပါက ကာကွယ်မှုသည် ရာခိုင်နှုန်း ၉၀ ခန့် ကျဆင်းသွားနိုင်ပါသည်။ CMOS စင်ဆာများကဲ့သို့ အထူးအာရုံကြောင်းပစ္စည်းများကို ကိုင်တွယ်ရာတွင် စိုထိုင်းဆကို ရာခိုင်နှုန်း ၃၀ အောက်တွင် ထိန်းသိမ်းထားသော ပတ်ဝန်းကျင်အတွင်း သိုလှောင်ခြင်းဖြင့် နောက်ပိုင်းတွင် ဖြစ်ပေါ်လာနိုင်သော ပြဿနာများကို ကာကွယ်ရာတွင် အထောက်အကူဖြစ်စေပါသည်။ တန်ဖိုးကြီးပစ္စည်းများကို ကာကွယ်ရာတွင် ပြုလုပ်ထားသမျှကို ပျက်ပြားစေနိုင်သောကြောင့် ပို့ဆောင်ခြင်းနှင့် ကိုင်တွယ်ခြင်းအတွင်း ဖာရေးဒေးကိတ်ကာကွယ်မှုကို အပြည့်အဝ ထိန်းသိမ်းရန် အလွန်အရေးကြီးပါသည်။

မေးလေ့ရှိသောမေးခွန်းများ

Electrostatic Discharge (ESD) ဆိုတာဘာလဲ?

လျှပ်စစ်ဓာတ်အားနှစ်ခုကြား လျှပ်စစ်စီးကြောင်းရုတ်တရက်စီးဆင်းမှုကြောင့် စတက်တစ်လျှပ်စီး (ESD) ဖြစ်ပေါ်ခြင်းဖြစ်ပြီး အထူးသဖြင့် အီလက်ထရွန်းနစ်ပစ္စည်းများကို ပျက်စီးစေတတ်သည်။

အီလက်ထရွန်းနစ်များအတွက် ESD ကာကွယ်မှုသည် အဘယ်ကြောင့်အရေးကြီးသနည်း?

စတက်တစ်လျှပ်စီးသည် အီလက်ထရွန်းနစ်ပစ္စည်းများတွင် ပြင်းထန်သောပျက်စီးမှုများ၊ မသိစိုက်ပျက်စီးမှုများနှင့် စွမ်းဆောင်ရည်ပြောင်းလဲမှုများကို ဖြစ်စေနိုင်သောကြောင့် စတက်တစ်လျှပ်စီးကာကွယ်ခြင်းသည် အလွန်အရေးကြီးပါသည်။ ထိုသို့ဖြစ်ပေါ်ပါက ပစ္စည်း၏သက်တမ်းတိုတောင်းခြင်းနှင့် ပြုပြင်စရိတ်များမြင့်တက်ခြင်းတို့ ဖြစ်ပေါ်စေနိုင်သည်။

စတက်တစ်လျှပ်စီးသည် အီလက်ထရွန်းနစ်ပစ္စည်းများကို မည်သို့ပျက်စီးစေသနည်း။

စတက်တစ်လျှပ်စီးသည် CMOS IC များရှိ ဂိတ်အောက်ဆိုဒ်များကို ပြိုကွဲစေပြီး ပါရာဆီတစ်ဆီလီကွန်ထရိုက်ရက်တီဖိုင်ယာများကို ဖွင့်လှစ်စေကာ ပစ္စည်းကို ပျက်စီးစေသော လျှပ်စီးများကို ဖြစ်ပေါ်စေနိုင်သည်။

TVS ဒိုင်အိုဒ်များ ဆိုတာ ဘာလဲ

TVS ဒိုင်ယိုဒ်များသည် အီလက်ထရွန်းနစ်စက်ပိုင်းများကို စတက်တစ်လျှပ်စီးမှ ကာကွယ်ရန် အပိုလျှပ်စီးနှင့် ဗို့အားမြင့်တက်မှုများကို လမ်းလွဲစေသော ကာကွယ်ပေးသည့်ပစ္စည်းများဖြစ်သည်။

ဖာရေးဒေကေ့ဂ်ဘောင်သည် မည်သည့်အရာဖြစ်ပြီး အီလက်ထရွန်းနစ်ပစ္စည်းများကို မည်သို့ကာကွယ်ပေးသနည်း။

ဖာရေးဒေကေ့ဂ်ဘောင်သည် စတက်တစ်နှင့် လျှပ်စစ်သံလိုက်စက်ကွင်းများမှ အတွင်းရှိပစ္စည်းများကို ကာကွယ်ပေးသော ဖွဲ့စည်းပုံတစ်မျိုးဖြစ်ပြီး အီလက်ထရွန်းနစ်ပစ္စည်းများကို ဘေးကင်းစွာသိုလှောင်ရန် ထုပ်ပိုးမှုနည်းလမ်းအဖြစ် အသုံးများသည်။