ဗို့အားဖြင့်ထိန်းချုပ်သော စက်ဝိုင်းပြောင်းခြင်း - ထိရောက်သော ပါဝါထိန်းချုပ်မှုအတွက် အဓိက MOSFET အားသာချက်

MOSFET များ (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors) သည် ဗို့အားဖြင့်လည်ပတ်သော စနစ်ကို အသုံးပြုခြင်းဖြင့် ရိုးရာ စက်ဝိုင်းပြောင်းကိရိယာများကို ကျော်လွန်ပြီး gate တွင် အဆက်မပြတ်စီးဆင်းမှုကို မလိုအပ်စေပါ။ ဤသို့ဖြင့် စွမ်းအင်ဆုံးရှုံးမှုအနည်းငယ်ဖြင့် တိကျပြီး ထိရောက်သော ပါဝါထိန်းချုပ်မှုကို ဖြစ်စေပါသည်။

Gate မှ လည်ပတ်ခြင်း - Gate တွင် စီးဆင်းမှုမရှိခြင်းနှင့် တိကျသော V _GS - ပြုပြင်ထားသော ပါဝင်မှု

Gate တာမီနယ်သို့ ဗို့အားပေးပို့ခြင်းဖြင့် drain နှင့် source ကြားရှိ ပါဝင်နိုင်စွမ်းကို ထိန်းချုပ်သော လျှပ်စစ်စက်ကွင်းကို ဖန်တီးပေးပါသည်။ ဤဗို့အားဖြင့် လည်ပတ်သော စနစ်သည် အောက်ပါအဓိက အကျိုးကျေးဇူးများကို ပေးစွမ်းပါသည်။

• စတက်တစ်စွမ်းအင်သုံးစွဲမှု သုညနီးပါးရှိခြင်း bJT များကို လက်ရှိဖြင့် မောင်းနှင်သကဲ့သို့ ဂိတ်တွင် မဟုတ်ပါ
• V မှ I သို့ တစ်ဖြောင့်သွား _GS -to-I _ဒီ ဆက်ဆံရေး တိကျသော လျှပ်စီးကို ထိန်းချုပ်ရန်
• မောင်းနှင်မှု ဆားကစ်ကို ရိုးရှင်းစေခြင်း စနစ်၏ ရှုပ်ထွေးမှုနှင့် အပိုစရိတ်ကို လျှော့ချပေးခြင်း

ဤအားကူပေးမှုသည် စွမ်းအင်ပြောင်းလဲမှုအဆင့်များတွင် ၉၅% ကျော် ထိရောက်မှုကို ထိန်းချုပ်မှုလျှပ်စီးကို ဖယ်ရှားခြင်းဖြင့် ရရှိစေပါသည်။ ဒီဇိုင်နာများသည် စက်မှုလုပ်ငန်းနှင့် စားသုံးသူ အသုံးပြုမှုများတွင် ဝန်ကို အကောင်းဆုံးစီမံခန့်ခွဲရန် ဤတိကျမှုကို အသုံးချကြသည်။

ပါဝါ MOSFET ဒီဇိုင်းနှင့် စနစ်ပေါင်းစပ်မှုတွင် မြှင့်တင်မှုပုံစံ ဦးစားပေးမှု

ဂိတ်ဘိအေ့စ်သုညဖြစ်နေစဉ် မူလကပိတ်ထားသော အပြုအမူကြောင့် ခေတ်မီဓာတ်အားစနစ်များတွင် Enhancement-mode MOSFETs များ အဓိကကျနေပါသည်။ ဤမူဝါဒဆိုင်ရာ လုံခြုံမှုသည် စတင်အသုံးပြုချိန် (သို့) ပြင်ပအခြေအနေများတွင် မမျှော်လင့်ဘဲ ပေါင်းသွင်းမှုကို ကာကွယ်ပေးပါသည်။ အဓိက ပေါင်းစပ်မှု အားသာချက်များမှာ-

• မိုက်ခရိုကွန်ထရိုလာအခြေပြု မောင်းသူများနှင့် တိုက်ရိုက်ကိုက်ညီမှု
• ထိန်းချုပ်မှုနှင့် ဓာတ်အားဆိုင်ရာ စက္ကူးများကြား သဘာဝအလျောက် လျှပ်စစ်ကွဲပြားမှု
• မီလီဝပ် ဝတ်ဆင်နိုင်သောပစ္စည်းများမှ မီလီယံကျော် ဝပ် စက်မှုလုပ်ငန်းစနစ်များအထိ ချဲ့ထွင်နိုင်မှု

အနားယူနေစဉ် စီးဆင်းမှုမရှိခြင်းက ဘက်ထရီစီမံခန့်ခွဲမှုနှင့် ပြန်လည်ဖြည့်တင်းနိုင်သော စွမ်းအင် အိန်ဗာတာများကဲ့သို့ စွမ်းအင်အပေါ် အာရုံစိုက်သော အသုံးချမှုများအတွက် ဤပစ္စည်းများကို စံပြဖြစ်စေပါသည်။ ဤပစ္စည်းများ၏ ဗို့အားဖြင့် လည်ပတ်မှုသည် လျှပ်စီးမျှဝေမှုကွန်ရက်များကို မလိုအပ်ဘဲ ပိုမိုမြင့်မားသော ပါဝါကိုင်တွယ်မှုအတွက် တူညီသော ပုံစံများကို ရိုးရှင်းစေပါသည်။

နိမ့်ပါးသော R _DS(on) နှင့် ပါးပါးသော ပေါင်းသွင်းဆုံးရှုံးမှုများ - MOSFET ထိရောက်မှုတိုးတက်မှု၏ သော့ချက်

မီလီအုံမ်များမှ မက်ဂါဝပ်များအထိ - R ကို ချဲ့ထွင်ခြင်း _DS(on) ဝန်အခြေအနေများပေါ်တွင် R ၏ သက်ရောက်မှု

MOSFET စနစ်များတွင် ဓာတ်အားဆုံးရှုံးမှုကို အဓိကဖြစ်စေသည့်အချက်မှာ ပါဝါလျှပ်စီးကြောင့်ဖြစ်ပေါ်လာသော ဆုံးရှုံးမှုများဖြစ်ပြီး ၎င်းတို့သည် လူတိုင်းပြောနေကြသည့် I²R ဖော်မြူလာကို အခြေခံ၍ ဖြစ်ပေါ်လာခြင်းဖြစ်သည်။ RDS(on) ဟုခေါ်သော ခုခံမှုတန်ဖိုး အနည်းငယ်သာ ကျဆင်းသွားခြင်းက စနစ်တစ်ခုလုံး၏ စွမ်းဆောင်ရည်ကို သိသိသာသာ ပိုမိုကောင်းမွန်စေပါသည်။ ယနေ့ခေတ် ဆီလီကွန် MOSFET များသည် 2 မီလီအုိမ်များထက် နိမ့်သွားနိုင်ပြီး 100 အမ်ပီယာခန့်ရှိသော မြင့်မားသည့် လျှပ်စီးအားလိုအပ်သည့် အသုံးချမှုများတွင် အလွန်အရေးပါပါသည်။ ဥပမာအားဖြင့် မီလီအုိမ်တစ်ခုသာ လျှော့ချနိုင်ပါက ဒေသခံလျှပ်စစ်ဈေးနှုန်းများအပေါ် မူတည်၍ တစ်နှစ်လျှင် လျှပ်စစ်ဓာတ်အားအတွက် ဒေါ်လာ ၁၈ ခန့် ခြွေတာနိုင်ပါသည်။ Trench gate နည်းပညာသည်လည်း ကဏ္ဍကိုပြောင်းလဲစေခဲ့သည့် အရာဖြစ်ပါသည်။ အပူချိန် စင်တီဂရိတ် ၁၇၅ ဒီဂရီအထိ မြင့်တက်လာသည့်အခါတွင်ပါ ဤဒီဇိုင်းများသည် ခုခံမှုတန်ဖိုး 30% အောက်သာ ပြောင်းလဲခြင်းဖြင့် စွမ်းဆောင်ရည်ကို တည်ငြိမ်စွာ ထိန်းသိမ်းနိုင်ပါသည်။ ထိုကဲ့သို့သော အပူချိန်တည်ငြိမ်မှုသည် အပူချိန်ပြောင်းလဲမှုများသည် ရှောင်လွဲမရသည့် လက်တွေ့အသုံးချမှုအခြေအနေများတွင် အလွန်အရေးပါပါသည်။

• 48V ဆာဗာလျှပ်စစ်ပေးပို့မှုစနစ်များတွင် 95% အထက် စွမ်းဆောင်ရည်
• မော်တာများကို ထိန်းချုပ်သည့်စနစ်များတွင် အပူပိုင်းသက်ရောက်မှုကို 40% လျှော့ချနိုင်သော အပူစုပ်ပိုက်များ
• ပိုက်ဆံသယ်ဆောင်လို့ရသော ကိရိယာများတွင် ဘက်ထရီအသုံးပြုနိုင်ချိန်ကို 15% ပိုမိုကြာရှည်စေခြင်း

ပျဉ်းကျယ်သော ဘန်ဒ်ဂက်ပ် အားသာချက် - SiC MOSFET များသည် 400V အထက်တွင် ပိုမိုနည်းပါးသော ပြောင်းလဲမှုဆုံးရှုံးမှု (>50%) ကို ပေးစွမ်းနိုင်ပါသည်

ဗို့အားမြင့်စနစ်များတွင် ဆီလီကွန်ကာဘိုဒ် MOSFET များသည် ရိုးရာဆီလီကွန်နှင့် ယှဉ်ပါက သိသိသာသာ စွမ်းဆောင်ရည်ပိုမိုကောင်းမွန်ပါသည်။ ဗို့အား 400V ထက်မြင့်လာပါက SiC ပစ္စည်းများသည် ဧရိယာအလိုက် ခုန်ခံအား အများအားဖြင့် တစ်ဝက်မှ နှစ်ပုံပုံသုံးပုံခန့် လျော့နည်းပြီး အပူချိန် 200 ဒီဂရီဆဲလ်စီးယပ်စ်အထိ ရောက်သည့်အခါတွင်ပါ ယုံကြည်စိတ်ချစွာ လုပ်ဆောင်နိုင်ပါသည်။ ရိုးရာဆီလီကွန်များက ထိုကဲ့သို့ မလုပ်နိုင်ပါ။ အကျိုးကျေးဇူးများမှာ အထူးသိသာပါသည်။ ဗို့အား 800 ဖြင့် လည်ပတ်သော လျှပ်စစ်ကားအင်ဗာတာများတွင် စွမ်းဆောင်ရည် 98 ရာခိုင်နှုန်းခန့် ရရှိနေပါသည်။ နေရောင်ခြည်စွမ်းအင်စနစ်များအတွက်မူ 2023 ခုနှစ်က Ponemon ၏ လေ့လာမှုအရ SiC နည်းပညာကို အသုံးပြုသော ဓာတ်အားပြောင်းလဲစက်များသည် စွမ်းအင်ဆုံးရှုံးမှုကို ရာခိုင်နှုန်း 1.5 ခန့် လျော့ကျစေပြီး မဂါဝပ် 10 ဖြင့် စနစ်တစ်ခုတွင် နှစ်စဉ် ဒေါ်လာ သိန်းခြောက်ရာခုနှစ်ဆယ်အထိ ခြွေတာနိုင်ပါသည်။ နောက်ထပ် အကျိုးကျေးဇူးတစ်ခုမှာ SiC MOSFET များသည် ပြောင်းလဲလုပ်ဆောင်စဉ်တွင် ပြန်လည်ပြုပြင်မှုဆုံးရှုံးမှုများကို မခံစားရခြင်းဖြစ်ပြီး စွမ်းအင်ထုတ်လုပ်မှုစနစ်ကြီးများတွင် စွမ်းဆောင်ရည်တစ်ခုချင်းစီကို အရေးပါသောကြောင့် ထိုပစ္စည်းများသည် အထူးတန်ဖိုးရှိပါသည်။

အမြန်နှုန်းမြင့် ပြောင်းလဲခြင်းနှင့် ပြောင်းလဲမှုဆုံးရှုံးမှုနည်းပါးခြင်း - စီးပွားဖွယ် အမြန်နှုန်းမြင့် ပါဝါပြောင်းလဲမှုကို ဖြစ်ပေါ်စေပါသည်

နာနိုစက္ကန့် t _{အပေါ်} /t_{ပိတ်မိသည်} နှင့် Q _g >1 MHz DC/DC ပြောင်းလဲကိရိယာများအတွက် အကောင်းဆုံးဖြစ်အောင်ပြုလုပ်ခြင်း

ယနေ့ခေတ် MOSFET နည်းပညာသည် 100 နက်စက္ကန့်အောက်တွင် ပြောင်းလဲနိုင်ပြီး DC/DC ပြောင်းလဲမှုများကို 1 MHz ကျော်လွန်သော ကြိမ်နှုန်းများတွင် ကောင်းစွာလုပ်ဆောင်နိုင်စေပါသည်။ ထိုသို့ဖြစ်ရခြင်းမှာ အဘယ်ကြောင့်နည်း။ ဂိတ်အားသွင်းမှု (Qg) သည် သိသိသာသာ ကျဆင်းသွားခဲ့ခြင်းကြောင့်ဖြစ်သည်။ ထရန်စစ်တာကို ဖွင့်ခြင်းမှ ပိတ်ခြင်းသို့ ပြောင်းလဲရန် လိုအပ်သော အားသွင်းမှုနည်းလာသည်နှင့်အမျှ ထိုပြောင်းလဲမှုများအတွက် စွမ်းအင်လိုအပ်ချက်မှာ အလွန်နည်းပါးလာပါသည်။ Qg ကျဆင်းမှုကြောင့် မောင်းသည့်အစိတ်အပိုင်းများသည် စွမ်းအင်အနည်းငယ်သာ သုံးစွဲရပြီး ပြောင်းလဲမှုမှာ ပိုမိုမြန်ဆန်လာပါသည်။ များစွာသော နှစ်များက ယခင်ဒီဇိုင်းများနှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက ပြောင်းလဲမှုဆုံးရှုံးမှုများသည် အကြောင်း 40% ခန့် ကျဆင်းသွားပါသည်။ ထို့ကြောင့် အင်ဂျင်နီယာများသည် သံလိုက်အစိတ်အပိုင်းများ ဧရိယာ 60% ခန့် နည်းပါးစေသည့် စနစ်များကို ဒီဇိုင်းထုတ်နိုင်လာပါသည်။ စွမ်းဆောင်ရည်ကို စွန့်လွှတ်စရာမလိုဘဲ ပိုမိုသေးငယ်သော်လည်း စွမ်းအားကောင်းသည့် ကိရိယာများကို ဖန်တီးနိုင်စေပါသည်။ မီဂါဟတ်ဇ်အဆင့်မြင့်မားသော အလျင်များတွင်ပင် ခေတ်မီပြောင်းလဲမှုအများစုသည် 95% အထက် စွမ်းဆောင်ရည်ကို ဆက်လက်ထိန်းသိမ်းနိုင်ပါသည်။ ယင်းသည် ယခင်မျိုးဆက်ကိရိယာများဖြင့် မဖြစ်နိုင်ခဲ့သည့် အရာဖြစ်ပါသည်။

DV/dt ကိုထိန်းချုပ်ခြင်းနှင့် နူးညံ့စွာပြောင်းလဲနိုင်မှုကိုကူညီပေးခြင်းဖြင့် EMI နှင့် အပူဖိအားကို လျှော့ချခြင်း

ဗို့အားပြောင်းလဲမှုများကို ထိန်းချုပ်နှုန်းဖြင့် (dV/dt) ဖြစ်ပေါ်စေပါက လျှပ်စစ်သံလိုက်အနှောင့်အယှက် (EMI) ကိုဖြစ်စေသည့် မကြိုက်သော အမြင့်မာကြိမ်နှုန်း ဟာမောနစ်များကို လျှော့ချပေးပါသည်။ ZVS ကဲ့သို့ နူးညံ့သော ပြောင်းလဲမှုနည်းလမ်းများဖြင့် အလုပ်လုပ်သည့် MOSFET များကို ဥပမာယူကြည့်ပါ။ ပြောင်းလဲမှုအခြေအနေများတွင် စီးကြောင်းနှင့် ဗို့အားတို့၏ အတိုင်းအတာကို ဤကွေးများသည် အခြေခံအားဖြင့် ရပ်တန့်ပေးပါသည်။ ထို့ကြောင့် စွမ်းအင်အများအပြားကို သုံးသည့်စနစ်များတွင် ပိုမိုနည်းပါးသော အပူတက်မှုကို ရရှိပါသည်။ အပူဖိအားကို ၃၀% ခန့် လျှော့ချနိုင်ပါသည်။ ဤနည်းလမ်းကို ရီဆွနန့် ဆားကစ်ဒီဇိုင်းများနှင့် တွဲဖက်ပါက စက်မှုလုပ်ငန်းဆိုင်ရာ စံသတ်မှတ်ချက်များနှင့်အညီ EMI အဆင့်များကို ထိန်းသိမ်းထားရင်း ပိုမိုသေးငယ်သော အပူစုပ်ကိရိယာများကိုသာ လိုအပ်လာပါသည်။ ရလဒ်မှာ ပိုမိုယုံကြည်စိတ်ချရသော ပစ္စည်းကိရိယာများကို ပြောင်းလဲမှုနှုန်းများ၏ အလျင်ကို မဖြေးဖြေးစေဘဲ ရရှိလာခြင်းဖြစ်ပါသည်။

လက်တွေ့ဘဝတွင် MOSFET စွမ်းအင်ထိန်းချုပ်မှု အသုံးချမှုများ - SMPS၊ မော်တာမောင်းနှင်မှုများနှင့် ဘက်ထရီစီမံခန့်ခွဲမှု

SWITCH-MODE ပါဝါစနစ်များတွင် တစ်ဖက်သတ်ပြုပြင်ခြင်း - ၃၀ မှ ၅၀% အထိ ထိရောက်မှုတိုးတက်မှုအတွက် ဒိုင်အုဒ်များကို MOSFET များဖြင့် အစားထိုးခြင်း

MOSFET များကို ပုံမှန်ဒိုင်ယိုဒ်များ အစား သုံး၍ စင်္ကရိုနပ်စ်ဖြတ်တောက်မှုလုပ်ဆောင်ခြင်းဟု ခေါ်သည့် အလုပ်ကို လုပ်ဆောင်ရန် မော်ဒူလ်ပါဝါစပလိုင်များ အား အားထားကြသည်။ ဤကွဲပြားခြားနားသော ကိရိယာများသည် လျှပ်စီးကို စီးဆင်းစေသည့်အခါ အလွန်နိမ့်ပါးသော ခုခံမှုရှိပြီး ကျွန်ုပ်တို့ အားလုံး မကြိုက်သော စီးဆင်းမှုဆုံးရှုံးမှုကို လျော့နည်းစေသည်။ ထို့အပြင် အခြေအနေများကို အလျင်အမြန် ပြောင်းလဲနိုင်သည့် စွမ်းရည်ရှိခြင်းက ၎င်းတို့ကို ထရန်စဖော်မာ၏ လုပ်ဆောင်မှုစက်ဝန်းနှင့် ကောင်းစွာ ကိုက်ညီစေပါသည်။ ဤသည်မှာ ရိုးရာဒိုင်ယိုဒ်များတွင် ဖြစ်ပေါ်လေ့ရှိသည့် စိတ်အနှောင့်အယှက်ဖြစ်ဖွယ် ဖိအားကျဆင်းမှုပြဿနာကို ဖယ်ရှားပေးပါသည်။ နောက်ဆုံးရလဒ်မှာ စုစုပေါင်းအပူထုတ်လုပ်မှု လျော့နည်းလာခြင်းနှင့် တစ်ခါတစ်ရံတွင် 30% မှ 50% အထိ ထိရောက်မှုတိုးတက်လာခြင်းဖြစ်သည်။ ထုတ်လုပ်သူများက ဤအရာကို ကြိုက်ကြသည်။ အဘယ်ကြောင့်ဆိုသော် ပိုမိုသေးငယ်ပြီး ပိုမိုအေးမြစွာ လည်ပတ်နိုင်သော ပါဝါပြောင်းလဲမှုများကို ဒီဇိုင်းထုတ်ရန် အခွင့်ပေးသောကြောင့်ဖြစ်သည်။ နေရာသည် အရေးကြီးသည့် ဒေတာစင်တာများရှိ ဆာဗာများမှ စတင်၍ ဆက်သွယ်ရေးကွန်ရက်များတွင် အသုံးပြုသည့် ပစ္စည်းကိရိယာများအထိ ဤကဲ့သို့သော ဒီဇိုင်းများကို ကျွန်ုပ်တို့ နေရာတိုင်းတွင် တွေ့နေရပါသည်။

ဒွိ-ဦးတည်မှု MOSFET ပိတ်ဖြင့် H-Bridge မော်တာထိန်းချုပ်မှုနှင့် PCM အခြေပြု ဘက်ထရီကာကွယ်မှု

MOSFET အခြေပြု H bridge များကို မော်တာများကို ထိန်းချုပ်ရာတွင် လျှပ်စီးကို နှစ်ဘက်သို့ စီးဆင်းနိုင်စေသောကြောင့် အင်ဂျင်နီယာများအနေဖြင့် အမြန်နှုန်းနှင့် အတွန်းအား (torque) တို့ကို ပိုမိုထိန်းချုပ်နိုင်သောကြောင့် အသုံးပြုကြသည်။ လျှပ်စစ်ကား ထုတ်လုပ်သည့် ကုမ္ပဏီများသည် မော်တာလည်ပတ်မှုကို ထိရောက်စွာ စီမံခန့်ခွဲရန်အတွက် pulse width modulation ဖြင့် မောင်းနှင်သည့် H bridge စက္ကူးများကို အသုံးပြုကြသည်။ ဘက်ထရီစီမံခန့်ခွဲမှုစနစ်များတွင် ကာကွယ်ရေး စက္ကူးပါဝါများတွင် ဆဲလ်များကို ပျက်စီးစေနိုင်သည့် အလွန်အကျူးအားဖြင့် အားသွင်းခြင်းနှင့် အလွန်အကျူး အားထုတ်ခြင်းများကို ကာကွယ်ရန် MOSFET နည်းပညာကို ထည့်သွင်းအသုံးပြုကြသည်။ ထိုထရားန်ဆစ်တာများ၏ နောက်ချင်းဆက် ပုံစံ (back to back configuration) သည် အားသွင်းခြင်းနှင့် အားထုတ်ခြင်းကြား ပြောင်းလဲမှုကို ပိုမိုချောမွေ့စေသည်။ ဤစနစ်သည် ရိုးရာ မက်ကန်းနစ်ကယ် relay စနစ်များနှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက စွမ်းအင်ဆုံးရှုံးမှုကို ဝက်ဝက်ချော်လျော့ကျစေသည်။ ထို့ကြောင့် lithium ion ဘက်ထရီပက်ကို အခြေအနေများစွာအောက်တွင် ပိုမိုကြာရှည်စွာ အသုံးပြုနိုင်ပြီး ပိုမိုဘေးကင်းစွာ လည်ပတ်နိုင်သည်။

FAQ အပိုင်း

MOSFET များကို စွမ်းအင်ထိန်းချုပ်မှုတွင် အသုံးပြုခြင်း၏ အဓိက အားသာချက်မှာ အဘယ်နည်း

MOSFET များသည် ဗို့အားထိန်းချုပ်မှုစနစ်ကို အသုံးပြုပြီး ဂိတ်တွင် အဆက်မပြတ်လျှပ်စီးကြောင်းလိုအပ်မှုကို ဖယ်ရှားပေးကာ စွမ်းအင်ဆုံးရှုံးမှုအနည်းငယ်ဖြင့် တိကျပြီး ထိရောက်သော ပါဝါထိန်းချုပ်မှုကို ဖြစ်စေသည်။

Enhancement-mode MOSFET များသည် အခြားအမျိုးအစားများနှင့် မည်သို့ကွဲပြားပါသနည်း။

Enhancement-mode MOSFET များသည် ဂိတ်တွင် ဗို့အားမပေးရသေးပါက အလိုအလျောက်ပိတ်နေပြီး စတင်အသုံးပြုချိန် (သို့) ပြင်ပအခြေအနေများတွင် မတော်တဆ လျှပ်စီးမှုကို ကာကွယ်ပေးကာ အစိုင်အခဲ လုံခြုံမှုကို ပေးစွမ်းနိုင်သည်။

မြင့်မားသောဗို့အား အသုံးပြုမှုများတွင် SiC MOSFET များ၏ အကျိုးကျေးဇူးများမှာ မည်သို့ရှိပါသနည်း။

SiC MOSFET များသည် 400V အထက်တွင် ပုံမှန်ဆီလီကွန် MOSFET များကဲ့သို့ မဟုတ်ဘဲ ပိုမိုနိမ့်ပါးသော ပါဝါဆုံးရှုံးမှု (၅၀ ရာခိုင်နှုန်းကျော်) ကို ပေးစွမ်းနိုင်ပြီး စင်ကြယ်သော အပူချိန် 200 ဒီဂရီစင်တီဂရိတ်အထိ ယုံကြည်စိတ်ချစွာ အလုပ်လုပ်နိုင်သည်။

Synchronous rectification ဆိုတာ ဘာလဲ၊ ထိရောက်မှုကို မည်သို့တိုးတက်စေပါသနည်း။

Synchronous rectification ဆိုသည်မှာ ပါဝါဆုံးရှုံးမှုကို လျှော့ချရန် မိုးဒီအိုင်အိုဒ်များအစား MOSFET များကို စက်ဝိုင်းပြောင်းလဲမှုပါဝါပေးစက်များတွင် အသုံးပြုခြင်းဖြစ်ပြီး ထိရောက်မှုကို 30-50% အထိ တိုးတက်စေသည်။