Schottky Diodes များသည် နှိပ်ကွက်ထိရောက်မှုကို 50% ပိုမိုတိုးတက်စေပုံ

ခေတ်မီလျှပ်စစ်ပစ္စည်းများတွင် စွမ်းအင်ထိရောက်မှုအတွက် တောင်းဆိုမှုများ တိုးပွားလာခြင်း

ယနေ့ခေတ်စက်မှုလုပ်ငန်းတို့တွင် အီလက်ထရွန်းနစ်ပစ္စည်းများအတွက် စွမ်းအင်ထိရောက်မှုသည် အဓိကအာရုံစိုက်မှုဖြစ်လာပါသည်။ စမတ်ဖုန်းများသည် တစ်နေ့ပတ်လုံးအသုံးပြုနိုင်သောဘက်ထရီများကို လိုအပ်နေပြီး၊ ဒေတာစင်တာများသည် ကုန်ကျစရိတ်များသော အအေးပေးစနစ်ကုန်ကျစရိတ်များကို လျှော့ချရန် အမြဲတမ်းရှာဖွေနေပါသည်။ လျှပ်စစ်ကားများမှာလည်း ၎င်းတို့၏ ကန့်သတ်ထားသော ဘက်ထရီအားသွင်းမှုကို ယခင်ကထက် ပိုမိုကောင်းမွန်စွာ စီမံခန့်ခွဲရန် လိုအပ်နေပါသည်။ ဤအချက်အားလုံးသည် ပါဝါဆားကစ်များတွင် မလိုအပ်သော ပြောင်းလဲမှုဆုံးရှုံးမှုများကို လျှော့ချရန် အင်ဂျင်နီယာများအပေါ် အမှန်တကယ်ဖိအားပေးနေပါသည်။ ရိုးရာ PN ဒိုင်ယိုဒ်များသည် ယခုအခါတွင် လုံလောက်မှုမရှိတော့ပါ။ အကြောင်းမှာ ၎င်းတို့တွင် ကူးစက်လျှပ်စီးကို 0.7 ဗို့အထိ ကျဆင်းစေပြီး ပြောင်းလဲပိတ်ရန် အပိုအချိန်ကို ယူသောကြောင့် တန်ဖိုးရှိသော စွမ်းအင်များကို ဖြုန်းတီးနေသောကြောင့်ဖြစ်သည်။ IEA ၏ 2023 ခုနှစ် အစီရင်ခံစာအရ ကမ္ဘာ့အီလက်ထရွန်းနစ်ပါဝါကုန်ကျစရိတ်သည် နှစ်စဉ် ထရီလီယံ ၅၀၀ ဘီလျှံကို ချဉ်းကပ်နေပြီဖြစ်သောကြောင့် ထိရောက်မှုတွင် အနည်းငယ်သော မြှင့်တင်မှုများကပင် ကုမ္ပဏီကြီးများနှင့် သေးငယ်သော ကုမ္ပဏီများအတွက် အချိန်ကြာလာသည်နှင့်အမျှ ကြီးမားသော စုံစမ်းမှုများကို ဖြစ်ပေါ်စေနိုင်ပါသည်။

အဓိကမူဝါဒ - ထူးခြားသော Schottky Diode ဖွဲ့စည်းပုံနှင့် Unipolar လုပ်ဆောင်မှု

Schottky diodes များသည် ၎င်းတို့၏ သတ္တု-ကြိုးမဲ့ဆက်သွယ်မှု အဆောက်အဦဖွဲ့စည်းပုံကြောင့် ပိုမိုကောင်းမွန်သော စွမ်းဆောင်ရည်ကို ရရှိပါသည်။ electron-hole recombination ကြောင့် နှေးကွေးမှုများဖြစ်ပေါ်စေသည့် PN diodes များနှင့် မတူဘဲ Schottky ကိရိယာများသည် unipolar conduction ဖြင့် လုပ်ဆောင်ပြီး majority carriers (electrons) တစ်ခုတည်းကိုသာ အသုံးပြုပါသည်။ ဤသို့ပြုလုပ်ခြင်းဖြင့် minority carrier storage time ကို ဖယ်ရှားပေးနိုင်ပြီး အောက်ပါတို့ကို ဖြစ်ပေါ်စေပါသည်။

• အနိမ့်ဆုံး 0.15V မှ 0.45V အထိ forward voltage drop များ
• ချက်ချင်း switching transition များ
• လုပ်ဆောင်စဉ်အတွင်း အပူထုတ်လုပ်မှု အနည်းငယ်သာ
  Depletion layer မရှိခြင်းကြောင့် Schottky barrier ကိုဖြတ်၍ တိုက်ရိုက် carrier transport ကို ခွင့်ပြုပြီး silicon diodes များနှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက conduction losses ကို 70% အထိ လျှော့ချပေးနိုင်ပါသည် (IEEE Transactions 2022)

လက်တွေ့သက်ရောက်မှု - DC-DC Converters များတွင် 50% စွမ်းဆောင်ရည် တိုးတက်မှုကို ရရှိခဲ့သည့် ကိစ္စလေ့လာမှု

Server power supplies များအတွက် DC-DC buck converters များတွင် standard diodes များကို Schottky variants များဖြင့် အစားထိုးခြင်းသည် တိုင်းတာနိုင်သော အကျိုးကျေးဇူးများကို ပေးစွမ်းပါသည်။ 12V—5V conversion modules များကို နှိုင်းယှဉ်စမ်းသပ်ခဲ့သည့် 2023 ခုနှစ် စမ်းသပ်မှုတစ်ခုတွင် ပြသခဲ့သည်မှာ-

မက်ထရစ်	စတိုင်ဒါ ဒီယို	Schottky Diode	ပိုကောင်းလာမှု
စွမ်းအင်ဆုံးရှုံးမှု	3.2W	1.6W	50%
Switching Delay	35 နာနိုစက္ကန့်	<2 နာနိုစက္ကန့်	94%
အမြင့်ဆုံးအပူချိန်	78°C	62°C	16°C

Schottky diode များ၏ သိမ်းဆည်းမှုအချိန်နှင့် Vf နိမ့်ခြင်းတို့ကြောင့် ပိုမိုမြင့်မားသော ဖရီးကွင်စီဖြင့် လည်ပတ်နိုင်ခြင်းနှင့် ပြောင်းလဲမှုဆုံးရှုံးမှုများ သက်သာစေသည်။ _F ရလဒ်အနေဖြင့် စွမ်းအင်ချွေတာမှုသည် ဆာဗာ ၁၀,၀၀၀ ခုတပ်ဆင်မှုတိုင်းအတွက် နှစ်စဉ် ကုန်ကျစရိတ် ၇၄၀,၀၀၀ ဒေါ်လာ လျှော့ချပေးနိုင်သည် (Ponemon 2023) ဖြစ်ပြီး စွမ်းအင်ထိရောက်မှုရှိသော ပါဝါဒီဇိုင်းတွင် ၎င်းတို့၏ အခန်းကဏ္ဍကို အတည်ပြုပေးသည်။

အရှေ့သို့ ဗို့အားကျဆင်းမှုနိမ့်ပါးခြင်းနှင့် ပိုမိုသက်သာသော ပါးလွှာသည့်ဆုံးရှုံးမှု

Schottky Diode များတွင် Vf နိမ့်ခြင်း၏ အကျိုးကျေးဇူးကို နားလည်ခြင်း

Schottky diodes များသည် ပုံမှန်ဆီလီကွန် diode များနှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက အစိုင်အခဲ အောက်ပိုင်း voltage drop ပိုနည်းပါသည်။ VF သည် ဆီလီကွန်ဖြင့် တွေ့ရမက် 0.7 ဗို့အစား 0.15 မှ 0.45 ဗို့အထိ ရှိပါသည်။ ဤသို့ဖြစ်ရခြင်းမှာ သတ္တုနှင့် ဆီမီကွန်ဒပ်တာ ပစ္စည်းများကြားရှိ ဆက်စပ်မှုတွင် ၎င်းတို့ ကွဲပြားစွာ အလုပ်လုပ်သောကြောင့်ဖြစ်ပြီး၊ ဓာတ်ဝင်ပစ္စည်းအမျိုးအစားတစ်မျိုးတည်းဖြင့် လည်ပတ်သောကြောင့်လည်း ဖြစ်ပါသည်။ 48 ဗို့မှ 12 ဗို့သို့ ပြောင်းသည့် စနစ်များကဲ့သို့ စွမ်းအင်အသုံးများသော စနစ်များတွင် ဤပိုနည်းသော ဗို့အားများသည် လည်ပတ်စဉ်တွင် စွမ်းအင်ပိုမိုကုန်ကျမှုကို လျှော့ချပေးပါသည်။ သင်္ချာအရလည်း ရိုးရှင်းစွာ တွက်ချက်နိုင်ပါသည် - Ploss သည် စီးဆင်းမှု (current) နှင့် ဗို့အားကျဆင်းမှု (voltage drop) ကို မြှောက်၍ ရပါသည်။ ဤသို့တွက်ကြည့်ပါမည်- 10 amp load များကို ကိုင်တွယ်စဉ် Schottky များအတွက် ပုံမှန် ဆီလီကွန်ပစ္စည်းများကို အစားထိုးခြင်းဖြင့် rectification loss ကို ဝပ်ချ် ခုနစ်မှ ဝပ်ချ် သုံးသို့ လျှော့ချနိုင်ပါသည်။ စနစ်တစ်ခုလုံး၏ စွမ်းဆောင်ရည်ကို အမှန်တကယ် ၂.၅ ရာခိုင်နှုန်းခန့် တိုးတက်စေသည်ကို သတိပြုမိသည်အထိ ဤကိန်းဂဏန်းများသည် အရေးမပါသကဲ့သို့ ထင်ရကောင်း ထင်နိုင်ပါသည်။ ဘက်ထရီအသုံးပြုမှု ကာလပိုရှည်ခြင်းနှင့် ပိုမိုအေးမြသော လည်ပတ်မှုအပူချိန်များအတွက် အကျိုးကျေးဇူးရရှိရန် အသေးစား အကျိုးကျေးဇူးများက လက်တွေ့အသုံးချမှုများတွင် အရေးပါလွန်းပါသည်။

ပါဝါပြောင်းလဲမှုဆိုင်ရာ စက္ကူများတွင် ပါဝါဆုံးရှုံးမှုများကို အနည်းဆုံးဖြစ်အောင်လုပ်ခြင်း

ဗို့အားနှင့် လျှပ်စီးကြောင်းကြား တိုက်ရိုက်နီးပါး ဆက်နွယ်မှုရှိခြင်းက ၎င်းတို့၏ အပူချိန်များပြောင်းလဲသည့်အခါတွင်ပါ ဤကိရိယာများသည် တည်ငြိမ်စွာ လုပ်ဆောင်နိုင်ကြောင်း ညွှန်ပြသည်။ Buck converter များ (သို့) ဗို့အားထိန်းခလုတ်များတွင် ထည့်သွင်းအသုံးပြုခြင်းသည် အထူးအထောက်အကူဖြစ်စေပြီး ၎င်းတို့၏ အနိမ့်ဆုံး ဦးတည်ဗို့အားသည် ဗို့အားကျဆင်းမှုကို လျှော့ချပေးကာ စွန့်ပစ်လေ့ရှိသော စွမ်းအင်ကို သက်သာစေပါသည်။ လျှပ်စီးကြောင်းအားကြီးများကို ကိုင်တွယ်သည့်စနစ်များအတွက် VF ကို ၁၀% ခန့် လျှော့ချခြင်းသည် ပါဝါဆက်သွယ်မှုဆိုင်ရာ ဆုံးရှုံးမှုကို ၁၅% ခန့် လျှော့ကျစေသည်ဟု ပါဝါဆိုင်ရာ ဆက်ကူးကိရိယာများနှင့် ပတ်သက်သော သုတေသနများက ဖော်ပြထားပါသည်။ ဤတိုးတက်မှုသည် ပိုမိုသိပ်သည်းသော ပါဝါဒီဇိုင်းများ၊ အချိန်ကာလအတွင်း စနစ်၏ ယုံကြည်စိတ်ချရမှု ပိုမိုကောင်းမွန်လာမှုနှင့် ယနေ့ခေတ် စက်မှုလုပ်ငန်းများ ရင်ဆိုင်နေရသော စွမ်းအင်ထိရောက်မှု လိုအပ်ချက်များကို ဖြည့်ဆည်းပေးနိုင်မှုတို့ကို ဖြစ်စေပါသည်။

ပိုမိုမြန်ဆန်သော Switching Performance အတွက် ပြန်လည်ပြုပြင်မှုအချိန် သုညနီးပါးဖြစ်ခြင်း

Switch-Mode Power Supplies (SMPS) များတွင် ကူးပြောင်းဆုံးရှုံးမှုများကို ဖယ်ရှားခြင်း

Schottky diodes များသည် PN ဆက်သွယ်မှု diodes များအတွက် ပြဿနာကြီးဖြစ်သည့် ဒုတိယကူးစက်မှုများ၏ သိုလှောင်မှုအားများကို ဖယ်ရှားပေးပြီး ၎င်းတို့၏ ပြန်လည်ရရှိမှုအချိန်ကို သုညနှင့် နီးပါးဖြစ်စေသည်။ ထိုသို့ဖြင့် SMPS စက္ကူများတွင် ပေါ်လာရာမျက်နှာပြောင်းလဲမှုများအတွက် ပိုမိုကောင်းမွန်သော ပြောင်းလဲမှုလုပ်ဆောင်မှုများကို ဖြစ်စေသည်။ ပါဝါပိုက်ဆက်ကို ပိတ်လိုက်သည့်အခါ၊ ဤ diodes များသည် နောက်ကျမှုမရှိဘဲ ပြန်လည်စီးဆင်းမှုကို ချက်ချင်းရပ်တန့်ပေးသည်။ ထိုသို့ဖြင့် စိတ်အနှောင့်အယှက်ဖြစ်စေသော ဗို့အားထိပ်တိုက်များကို ကာကွယ်ပေးပြီး high frequency DC to DC converter များတွင် switching loss များကို အကြမ်းဖျင်း ၄၀ ရာခိုင်နှုန်းခန့် လျှော့ချပေးသည်။ Schottky diodes များကို အသုံးပြုသည့် စနစ်များသည် ပိုမိုအေးမြစွာ လည်ပတ်ပြီး ယေဘုယျအားဖြင့် ပိုကောင်းစွာ လုပ်ဆောင်နိုင်သည်။ နှစ်ပေါင်းများစွာအတွင်း အင်ဂျင်နီယာများသည် သူတို့၏ design များတွင် ဤတိုးတက်မှုကို မှတ်သာမှတ်ရှိ မှတ်သားခဲ့ကြသည်။

Schottky နှင့် PN Junction Diodes: မြင့်မားသော ကြိမ်နှုန်း applications များတွင် ပိုမိုကောင်းမွန်သော အမြန်နှုန်း

PN diode များသည် လည်ပတ်စဉ်တွင် သိုလှောင်ထားသော အားသွင်းမှုများကို ကိုင်တွယ်ရာတွင် ပိုမိုကြာရှည်သော အချိန်ကို ယူဆောင်ရမှုရှိပါသည်။ ထို့နှင့်မတူဘဲ Schottky diode များသည် အီလက်ထရွန်များ၏ မြန်ဆန်သော လှုပ်ရှားမှုကို အဓိကအားဖြင့် အားထားကာ ကွဲပြားစွာ လုပ်ဆောင်ပါသည်။ ၎င်းသည် ပြန်လည်ရရှိမှုကာလများမှ စွမ်းအင်ဆုံးရှုံးမှုများကို ရှောင်ရှားကာ တစ်ခါတစ်ရံ 100 kHz ကျော်လွန်သော အလွန်မြန်ဆန်သည့် ပြောင်းလဲမှုများကို ဖြစ်ပေါ်စေနိုင်ပါသည်။ ပုံမှန်အားဖြင့် 50 kHz ခန့်တွင် လည်ပတ်သည့် PN diode များသည် ပြန်လည်ရရှိမှုပြဿနာကြောင့် စွမ်းအင်၏ ၅ မှ ၁၀ ရာခိုင်နှုန်းအထိ ဆုံးရှုံးနေပါသည်။ ထိုကဲ့သို့သော ကြိမ်နှုန်းများတွင်ပင် Schottky diode များသည် စွမ်းအင်အသုံးချမှု ၉၅ ရာခိုင်နှုန်းကျော်ကို ထိန်းသိမ်းထားနိုင်ပါသည်။ ၎င်းတို့သည် အလွန်မြန်ဆန်စွာ တုံ့ပြန်နိုင်သောကြောင့် ကြိမ်နှုန်းများသည် အများအားဖြင့် 200 kHz ကျော်လွန်တတ်သော ဆာဗာများအတွက် ပါဝါပေးစက်များနှင့် လျှပ်စစ်ကားများအတွက် အားသွင်းစက်များတွင် အရေးပါသော အစိတ်အပိုင်းများအဖြစ် ပြောင်းလဲလာပါသည်။ မြင့်မားသော ကြိမ်နှုန်းဖြင့် လည်ပတ်သည့် လုပ်ငန်းများတွင် မြန်နှုန်းကွာခြားချက်သည် အလွန်အရေးပါပါသည်။

စွမ်းအင်အရေးကြီးပြီး ပိုက်ဆံသယ်ဆောင်နိုင်သော အီလက်ထရွန်နစ်ပစ္စည်းများတွင် အဓိကအသုံးပြုမှုများ

Schottky Diode များဖြင့် ဘက်ထရီဖြင့် အလုပ်လုပ်သော ကိရိယာများနှင့် SMPS များကို အကောင်းဆုံးဖြစ်အောင် ပြုလုပ်ခြင်း

Schottky diodes များသည် စွမ်းအင်သုံးစွဲမှုကို အရေးထားသော ကိရိယာများတွင် ထိရောက်မှုကို တိုးတက်စေပါသည်။ ၎င်းတို့တွင် ဖြတ်သန်းလျှောက်လှမ်းမှု ဗို့အားကျဆင်းမှုနိမ့်ပြီး ပြန်လည်ကောက်ခြင်းအချိန် မရှိသလောက် နည်းပါသည်။ smartwatches များ သို့မဟုတ် ပတ်ဝန်းကျင်ဆိုင်ရာ sensor များကဲ့သို့သော ပစ္စည်းများကို စဉ်းစားပါက၊ ဤ diode များသည် စွမ်းအင်ပြောင်းလဲခြင်းအတွင်း စွမ်းအင်ကို ဖြုန်းတီးမှုကို လျှော့ချပေးပြီး ဘက်ထရီများ အားသွင်းပြီးနောက် ပိုမိုကြာရှည်စွာ အသုံးပြုနိုင်စေပါသည်။ ဖုန်းအားသွင်းကိရိယာငယ်များ သို့မဟုတ် switch mode power supply များကို ဥပမာပြုကြည့်ပါ။ Schottky diodes များတွင် minority carrier များကို သိုလှောင်မထားသောကြောင့် မြင့်မားသော ကြိမ်နှုန်းများတွင် အမြန်ပြောင်းလဲမှု စက်ဝိုင်းများအတွင်း စွမ်းအင်ဆုံးရှုံးမှု နည်းပါးစေပါသည်။ ထိုသို့ဖြင့် စွမ်းဆောင်ရည် အမြင့်ဆုံးရရှိပြီး အပူထုတ်လုပ်မှုလည်း လျော့နည်းစေပါသည်။ နေရာကို အရေးထားသော ထုတ်ကုန်များတွင် ဤအကျိုးကျေးဇူးများသည် အလွန်ကြီးမားပါသည်။ ရိုးရာ ကိရိယာများသည် နေရာကျဉ်းများတွင် အပူပြုတ်ချမှု လိုအပ်ချက်များကို မကိုင်တွယ်နိုင်ပါ။ ထို့ကြောင့် Schottky diodes များသည် ခေတ်မီ အီလက်ထရွန်းနစ် ဒီဇိုင်းများတွင် မရှိမဖြစ် လိုအပ်ပါသည်။

နောက်ဆက်တွဲ ပစ္စည်းများ - Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes

အကျိုးသက်ရောက်မှုနှင့် အပူချိန်စွမ်းဆောင်ရည်တို့ကို အမြင့်ဆုံးထိရရှိစေရန် SiC Schottky Diodes အသုံးပြုမှု တိုးတက်လာခြင်း

ဆီလီကွန်ကာဘိုင်း (SiC) ရှော့ကီဒိုင်ယိုးများသည် ပုံမှန်ဆီလီကွန်ဒိုင်ယိုးများနှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက အကျိုးကျေးဇူးများစွာရှိပါသည်။ ဤပစ္စည်း၏ အကျယ်ကြီးပတ်လည်ဖြစ်မှုကြောင့် ခံနိုင်ရည်မြင့်မားသော ဗို့အားချို့ယွင်းမှုများကို ခံနိုင်ရည်ရှိပြီး အများအားဖြင့် ဗို့အား ၁၇၀၀ ခန့်အထိ ရရှိနိုင်ပါသည်။ ထို့အပြင် ဤကိရိယာများသည် အပူစီးဆင်းမှုကောင်းမွန်မှုကြောင့် အပူချိန် စင်တီဂရိတ် ၂၀၀ ကျော်သွားသည့်တိုင် ဆက်လက်အလုပ်လုပ်နိုင်ပါသည်။ ထို့ကြောင့် စွမ်းအင်လျှပ်စစ်ပစ္စည်းများကို အသေးစားဒီဇိုင်းများတွင် အသုံးပြုသည့်အခါ အင်ဂျင်နီယာများသည် ရှုပ်ထွေးသော အအေးပေးစနစ်များကို စိုးရိမ်စရာမလိုပါ။ SiC ကို အမှန်တကယ်ထင်ရှားစေသည့်အချက်မှာ ၎င်း၏ ပြန်လည်ရရှိမှုအချိန် မရှိသလောက်ဖြစ်ခြင်းဖြစ်ပါသည်။ မြင့်မားသော ကြိမ်နှုန်းဖြင့် ပြောင်းလဲသည့်အခါ ဤဂုဏ်သတ္တိသည် ပုံမှန်ဒိုင်ယိုးများကို နှောင့်ယှက်နေသော စွမ်းအင်ဆုံးရှုံးမှုများကို လျှော့ချပေးပါသည်။ ထို့ကြောင့် လျှပ်စစ်ကားများအတွက် အားသွင်းစနစ်များနှင့် စက်ရုံအလိုအလျောက်စနစ်ကိရိယာများတွင် SiC နည်းပညာကို ပိုမိုအသုံးပြုလာကြခြင်းဖြစ်ပြီး ထိရောက်မှုတစ်ခုချင်းစီသည် စီးပွားရေးလုပ်ငန်းများအတွက် အမှန်တကယ်ဝင်ငွေကို မြှင့်တင်ပေးပါသည်။

အနာဂတ်စွမ်းအင်စနစ်များတွင် ခေတ်မီ Schottky Diode များ၏ ဗျူဟာမြောက်ပေါင်းစပ်မှု

ခေတ်မီစွမ်းအင်စနစ်များသည် MOSFET များနှင့်အတူ SiC Schottky diode များကို ယနေ့ခေတ်တွင် ကျွန်ုပ်တို့မကြာခဏမြင်တွေ့ရသည့် co-packaged module များအတွင်းသို့ ထည့်သွင်းလာကြသည်။ ဤစီမံဆောင်ရွက်မှုသည် မလိုအပ်သော parasitic inductance များကို လျှော့ချပေးပြီး စွမ်းအင်သို့မှုကို အမှန်အကန် မြှင့်တင်ပေးသည်။ ထို့ကြောင့် နေလျှပ်စစ်အိုင်းဘက်များ (solar inverters) နှင့် ဒေတာစင်တာကြီးများအတွက် စွမ်းအင်ပေးစနစ်များတွင် အထူးအရေးပါလာသည်။ ကွန်ပိုးနင့်များ ပိုမိုသေးငယ်လာသည်နှင့်အမျှ SiC ဖြေရှင်းချက်များကို လက်ကိုင်ပစ္စည်းများမှ စ၍ IoT sensor များအထိ နေရာတကာတွင် တွေ့မြင်လာရသည်။ အထူးသဖြင့် ကွန်ပက်စ်ပစ္စည်းများတွင် cubic millimeter တစ်ခုချင်းစီသည် အရေးပါလာသည့်အခါ စွမ်းဆောင်ရည်အတွက် အကျိုးအမြတ်အများဆုံးရရှိရန်မှာ အလွန်အရေးကြီးလာပါသည်။ အနာဂတ်ကိုကြည့်ပါက စီလီကွန်ကာဘိုက်ဒ်နည်းပညာသည် ကျွန်ုပ်တို့၏ တိုးတက်လာသော smart grid network များနှင့် စက်မှုလုပ်ငန်းများတွင် လျှပ်စစ်ဓာတ်အားသုံးစွဲမှုကို တိုးမြှင့်လုပ်ဆောင်နေမှုတို့၏ ဗဟိုချက်ဖြစ်လာမည်ဖြစ်ကြောင်း သိသာထင်ရှားပါသည်။

မေးလေ့ရှိသောမေးခွန်းများ

Schottky diode များဆိုတာ ဘာလဲ?

Schottky diode များသည် ပုံမှန် PN diode များနှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက ဖြတ်သန်းလာသော ဗို့အား ကျဆင်းမှုနည်းပါးခြင်းနှင့် မြန်ဆန်စွာ ပြောင်းလဲနိုင်မှုတို့ဖြင့် ထင်ရှားသော ဆီမီကွန်ဒပ်က်တာ ကိရိယာများ ဖြစ်ပါသည်။

Schottky diode များသည် စွမ်းဆောင်ရည်ကို မည်သို့ မြှင့်တင်ပေးပါသနည်း။

ဗို့အားကျဆင်းမှု အနည်းငယ်သာ ဖြစ်ပေါ်စေခြင်းနှင့် ပြန်လည် ပြုပြင်မှု အချိန်ကို ဖယ်ရှားခြင်းဖြင့် စွမ်းအင်ဆုံးရှုံးမှုကို လျှော့ချပေးကာ ပိုမိုမြန်ဆန်ပြီး ထိရောက်သော ပြောင်းလဲမှုကို ဖြစ်ပေါ်စေသည့်အတွက် စွမ်းဆောင်ရည်ကို မြှင့်တင်ပေးပါသည်။

Schottky ဒိုင်ယိုဒ်များကို အများအားဖြင့် မည်သည့်နေရာများတွင် အသုံးပြုသနည်း။

Schottky diode များကို စမတ်ဖုန်းများ၊ စမတ်နာရီများ၊ ပြောင်းလဲပေးသော ပါဝါ စနစ်များနှင့် လျှပ်စစ်ကား ဘက်ထရီ အားသွင်းကိရိယာများကဲ့သို့ ပါဝါကို အထူးလိုအပ်သော နှင့် ပိုက်ဆံသယ်ဆောင် အသုံးပြုနိုင်သည့် အီလက်ထရွန်းနစ် ကိရိယာများတွင် အသုံးများပါသည်။

SiC Schottky diode များက အားသာချက်များကို မည်သို့ ပေးအပ်ပါသနည်း။

ဆီလီကွန်ကာဘိုက် (SiC) Schottky diode များသည် ပိုမိုကောင်းမွန်သော အပူစွမ်းဆောင်ရည်၊ ပိုမိုမြင့်မားသော ပျက်စီးမှု ဗို့အားများနှင့် ပြန်လည်ပြုပြင်မှု အချိန် အနည်းငယ်သာ ရှိခြင်းတို့ကဲ့သို့ အားသာချက်များကို ပေးအပ်ပါသည်။