DFN2020-6L MOSFET | N/P 채널 파워 MOSFET | 초저 RDS(on) 및 소형 설계

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DFN2020-6L 시리즈

휴대용 및 고밀도 전원 설계를 위한 DFN2020-6L 패키지의 소형 저RDS(on) MOSFET

DFN2020-6L 시리즈 MOSFET은 초소형 폼 팩터와 극도로 낮은 RDS(on) 특성을 가지며, N-채널 및 P-채널 구성으로 제공됩니다. 뛰어난 열적 및 전기적 성능을 갖춘 이 소자는 부하 스위칭, 리튬 배터리 보호, DC-DC 컨버터, 동기 정류, 소형 전원 모듈에 이상적입니다.

  • 휴대용 전자기기용 전력 관리
  • 리튬 배터리 보호 회로
  • 동기 정류 및 부하 스위치
  • DC-DC 컨버터, 벅-부스트 토폴로지
  • 통신 및 임베디드 전원 시스템
제품명 포장 상태 에스드 구성 유형 VDSS (V) 내경 (A) PD (W) VGS (V) Tj (℃) Vth_형 (V) Rdson@ VGS10V_형 (mΩ) Rdson@ VGS10V_최대 (mΩ) Rdson@ VGS4.5V_형 (mΩ) Rdson@ VGS4.5V_최대 (mΩ) Ciss_형 (pF) Coss_형 (pF) Crss_형 (pF) Qg_형 (nC) 등급
YJQ10N02A DFN2020-6L 활동적인 아니요 싱글 N 20 13 2.2 ±10 150 0.62 - - 7.8 9 888 133 117 11.05 산업
YJQ10N03A DFN2020-6L 활동적인 아니요 싱글 N 30 10 16 ±12 150 0.7 - - 20 28 520 60 50 16.5 표준
YJQ1216A DFN2020-6L 활동적인 아니요 싱글 P -20 -16 18 ±10 150 -0.62 - - 11 19 2992 330 272 72.8 표준
YJQ13N03A DFN2020-6L 활동적인 아니요 싱글 N 30 13 2.9 ±20 150 1.5 7 12 11 15 1015 201 164 23.6 산업
YJQ16N025A DFN2020-6L NRND 아니요 싱글 N 25 16 6.25 ±20 150 1.5 4.5 6 7.5 10 1050 220 190 33 산업
YJQ2012A DFN2020-6L 활동적인 아니요 싱글 N 20 12 2.5 ±10 150 0.62 - - 10 13 777 164 140 25.5 표준
YJQ3407B DFN2020-6L 활동적인 아니요 싱글 P -30 -10 15 ±20 150 -1.5 30 40 45 60 490 75 60 9 표준
YJQ4666B DFN2020-6L 활동적인 아니요 싱글 P -20 -7 2.2 ±10 150 -0.62 - - 24.5 36.5 852 127 109 40.1 표준

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