Kompaktní MOSFETy s nízkým RDS(on) v pouzdru DFN2020-6L pro přenosná zařízení a návrh vysokohustotního napájení
Série DFN2020-6L MOSFETů disponuje extrémně malou plochou a velmi nízkým RDS(on), dostupná v konfiguracích N-kanálu i P-kanálu. S vynikajícím tepelným a elektrickým výkonem jsou tyto součástky ideální pro spínání zátěže, ochranu lithiových baterií, DC-DC měniče, synchronní usměrňování a kompaktní výkonové moduly.
| Název produktu | Balení | Stav | Esd | Konfigurace | Typ | VDSS (V) | ID (A) | PD (W) | VGS (V) | Tj (℃） | Vth_Typ (V) | Rdson@ VGS10V_TYP (mΩ) | Rdson@ VGS10V_Max (mΩ) | Rdson@ VGS4.5V_TYP (mΩ) | Rdson@ VGS4.5V_Max (mΩ) | Ciss_Typ (pF) | Coss_Typ (pF) | Crss_Typ (pF) | Qg_Typ (nC) | Třída |
| YJQ10N02A | DFN2020-6L | Aktivní | Ne | Jednotný | N | 20 | 13 | 2.2 | ±10 | 150 | 0.62 | - | - | 7.8 | 9 | 888 | 133 | 117 | 11.05 | Průmyslový |
| YJQ10N03A | DFN2020-6L | Aktivní | Ne | Jednotný | N | 30 | 10 | 16 | ±12 | 150 | 0.7 | - | - | 20 | 28 | 520 | 60 | 50 | 16.5 | Standard |
| YJQ1216A | DFN2020-6L | Aktivní | Ne | Jednotný | P | -20 | -16 | 18 | ±10 | 150 | -0.62 | - | - | 11 | 19 | 2992 | 330 | 272 | 72.8 | Standard |
| YJQ13N03A | DFN2020-6L | Aktivní | Ne | Jednotný | N | 30 | 13 | 2.9 | ±20 | 150 | 1.5 | 7 | 12 | 11 | 15 | 1015 | 201 | 164 | 23.6 | Průmyslový |
| YJQ16N025A | DFN2020-6L | NRND | Ne | Jednotný | N | 25 | 16 | 6.25 | ±20 | 150 | 1.5 | 4.5 | 6 | 7.5 | 10 | 1050 | 220 | 190 | 33 | Průmyslový |
| YJQ2012A | DFN2020-6L | Aktivní | Ne | Jednotný | N | 20 | 12 | 2.5 | ±10 | 150 | 0.62 | - | - | 10 | 13 | 777 | 164 | 140 | 25.5 | Standard |
| YJQ3407B | DFN2020-6L | Aktivní | Ne | Jednotný | P | -30 | -10 | 15 | ±20 | 150 | -1.5 | 30 | 40 | 45 | 60 | 490 | 75 | 60 | 9 | Standard |
| YJQ4666B | DFN2020-6L | Aktivní | Ne | Jednotný | P | -20 | -7 | 2.2 | ±10 | 150 | -0.62 | - | - | 24.5 | 36.5 | 852 | 127 | 109 | 40.1 | Standard |
EN
