MOSFETs compactos com baixa RDS(on) em invólucro DFN2020-6L para design de energia portátil e de alta densidade
Os MOSFETs da série DFN2020-6L possuem uma pegada extremamente pequena e RDS(on) extremamente baixa, disponíveis nas configurações Canal N e Canal P. Com excelente desempenho térmico e elétrico, esses dispositivos são ideais para chaveamento de carga, circuitos de proteção de baterias de lítio, conversores CC-CC, retificação síncrona e módulos de potência compactos.
| Nome do Produto | Pacote | Status | Esd | Configuração | Tipo | VDSS (V) | ID (A) | PD (W) | VGS (V) | Tj (℃） | Vth_Typ (V) | Rdson@ VGS10V_TYP (mΩ) | Rdson@ VGS10V_Max (mΩ) | Rdson@ VGS4.5V_TYP (mΩ) | Rdson@ VGS4.5V_Max (mΩ) | Ciss_Typ (pF) | Coss_Typ (pF) | Crss_Typ (pF) | Qg_Typ (nC) | Grau |
| YJQ10N02A | DFN2020-6L | Atividade | Não | Solteiro | N | 20 | 13 | 2.2 | ±10 | 150 | 0.62 | - | - | 7.8 | 9 | 888 | 133 | 117 | 11.05 | Industrial |
| YJQ10N03A | DFN2020-6L | Atividade | Não | Solteiro | N | 30 | 10 | 16 | ±12 | 150 | 0.7 | - | - | 20 | 28 | 520 | 60 | 50 | 16.5 | Padrão |
| YJQ1216A | DFN2020-6L | Atividade | Não | Solteiro | P | -20 | -16 | 18 | ±10 | 150 | -0.62 | - | - | 11 | 19 | 2992 | 330 | 272 | 72.8 | Padrão |
| YJQ13N03A | DFN2020-6L | Atividade | Não | Solteiro | N | 30 | 13 | 2.9 | ±20 | 150 | 1.5 | 7 | 12 | 11 | 15 | 1015 | 201 | 164 | 23.6 | Industrial |
| YJQ16N025A | DFN2020-6L | NRND | Não | Solteiro | N | 25 | 16 | 6.25 | ±20 | 150 | 1.5 | 4.5 | 6 | 7.5 | 10 | 1050 | 220 | 190 | 33 | Industrial |
| YJQ2012A | DFN2020-6L | Atividade | Não | Solteiro | N | 20 | 12 | 2.5 | ±10 | 150 | 0.62 | - | - | 10 | 13 | 777 | 164 | 140 | 25.5 | Padrão |
| YJQ3407B | DFN2020-6L | Atividade | Não | Solteiro | P | -30 | -10 | 15 | ±20 | 150 | -1.5 | 30 | 40 | 45 | 60 | 490 | 75 | 60 | 9 | Padrão |
| YJQ4666B | DFN2020-6L | Atividade | Não | Solteiro | P | -20 | -7 | 2.2 | ±10 | 150 | -0.62 | - | - | 24.5 | 36.5 | 852 | 127 | 109 | 40.1 | Padrão |
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