Kompakt alacsony RDS(on) MOSFET-ek DFN2020-6L tokban hordozható és nagy sűrűségű energiaellátási tervezéshez
A DFN2020-6L sorozatú MOSFET tranzisztorok rendkívül kis helyigényt és extrém alacsony RDS(on) értéket kínálnak, N- és P-csatornás kivitelben is elérhetők. Kiemelkedő hő- és villamos tulajdonságaiknak köszönhetően ezek az eszközök ideálisak terhelés-kapcsoláshoz, lítiumakkumulátor-védelemhez, DC-DC átalakítókhoz, szinkronos egyenirányításhoz és kompakt tápegységmodulokhoz.
| Termék neve | Csomagolás | Állapot | Esd | Konfiguráció | Típus | VDSS (V) | ID (A) | PD (W) | VGS (V) | Tj (℃） | Vth_Típ (V) | Rdson@ VGS10V_Típ (mΩ) | Rdson@ VGS10V_Max (mΩ) | Rdson@ VGS4.5V_TYP (mΩ) | Rdson@ VGS4.5V_Max (mΩ) | Ciss_Típus (pF) | Coss_Típus (pF) | Crss_Típus (pF) | Qg_Típus (nC) | Osztály |
| YJQ10N02A | DFN2020-6L | Aktív | Nem | Egyes | N | 20 | 13 | 2.2 | ±10 | 150 | 0.62 | - | - | 7.8 | 9 | 888 | 133 | 117 | 11.05 | Ipari |
| YJQ10N03A | DFN2020-6L | Aktív | Nem | Egyes | N | 30 | 10 | 16 | ±12 | 150 | 0.7 | - | - | 20 | 28 | 520 | 60 | 50 | 16.5 | Szabvány |
| YJQ1216A | DFN2020-6L | Aktív | Nem | Egyes | P | -20 | -16 | 18 | ±10 | 150 | -0.62 | - | - | 11 | 19 | 2992 | 330 | 272 | 72.8 | Szabvány |
| YJQ13N03A | DFN2020-6L | Aktív | Nem | Egyes | N | 30 | 13 | 2.9 | ±20 | 150 | 1.5 | 7 | 12 | 11 | 15 | 1015 | 201 | 164 | 23.6 | Ipari |
| YJQ16N025A | DFN2020-6L | NRND | Nem | Egyes | N | 25 | 16 | 6.25 | ±20 | 150 | 1.5 | 4.5 | 6 | 7.5 | 10 | 1050 | 220 | 190 | 33 | Ipari |
| YJQ2012A | DFN2020-6L | Aktív | Nem | Egyes | N | 20 | 12 | 2.5 | ±10 | 150 | 0.62 | - | - | 10 | 13 | 777 | 164 | 140 | 25.5 | Szabvány |
| YJQ3407B | DFN2020-6L | Aktív | Nem | Egyes | P | -30 | -10 | 15 | ±20 | 150 | -1.5 | 30 | 40 | 45 | 60 | 490 | 75 | 60 | 9 | Szabvány |
| YJQ4666B | DFN2020-6L | Aktív | Nem | Egyes | P | -20 | -7 | 2.2 | ±10 | 150 | -0.62 | - | - | 24.5 | 36.5 | 852 | 127 | 109 | 40.1 | Szabvány |
EN
