Компактни MOSFET транзистори с ниско RDS(on) в корпус DFN2020-6L за преносими устройства и проектиране на високоплътна електрозахранване
Серията DFN2020-6L MOSFET осигурява екстремно малки размери и изключително ниско RDS(on), налична в N-канално и P-канално изпълнение. С отлични топлинни и електрически характеристики, тези устройства са идеални за комутиране на товари, защита на литиеви батерии, DC-DC преобразуватели, синхронно изправяне и компактни силови модули.
| Име на продукта | Пакет | Статус | Esd | Конфигурация | Тип | VDSS (В) | Вътрешен диаметър (A) | PD (W) | VGS (В) | Tj (℃) | Vth_Тип (В) | Rdson@ VGS10В_ТИП (мΩ) | Rdson@ VGS10В_Макс (мΩ) | Rdson@ VGS4.5В_ТИП (мΩ) | Rdson@ VGS4.5В_Макс (мΩ) | Ciss_Тип (пФ) | Coss_Тип (пФ) | Crss_Тип (пФ) | Qg_Тип (нКл) | Клас |
| YJQ10N02A | DFN2020-6L | Активен | Не | Единичен | Н | 20 | 13 | 2.2 | ±10 | 150 | 0.62 | - | - | 7.8 | 9 | 888 | 133 | 117 | 11.05 | Индустриален |
| YJQ10N03A | DFN2020-6L | Активен | Не | Единичен | Н | 30 | 10 | 16 | ±12 | 150 | 0.7 | - | - | 20 | 28 | 520 | 60 | 50 | 16.5 | Стандарт |
| YJQ1216A | DFN2020-6L | Активен | Не | Единичен | P | -20 | -16 | 18 | ±10 | 150 | -0.62 | - | - | 11 | 19 | 2992 | 330 | 272 | 72.8 | Стандарт |
| YJQ13N03A | DFN2020-6L | Активен | Не | Единичен | Н | 30 | 13 | 2.9 | ±20 | 150 | 1.5 | 7 | 12 | 11 | 15 | 1015 | 201 | 164 | 23.6 | Индустриален |
| YJQ16N025A | DFN2020-6L | NRND | Не | Единичен | Н | 25 | 16 | 6.25 | ±20 | 150 | 1.5 | 4.5 | 6 | 7.5 | 10 | 1050 | 220 | 190 | 33 | Индустриален |
| YJQ2012A | DFN2020-6L | Активен | Не | Единичен | Н | 20 | 12 | 2.5 | ±10 | 150 | 0.62 | - | - | 10 | 13 | 777 | 164 | 140 | 25.5 | Стандарт |
| YJQ3407B | DFN2020-6L | Активен | Не | Единичен | P | -30 | -10 | 15 | ±20 | 150 | -1.5 | 30 | 40 | 45 | 60 | 490 | 75 | 60 | 9 | Стандарт |
| YJQ4666B | DFN2020-6L | Активен | Не | Единичен | P | -20 | -7 | 2.2 | ±10 | 150 | -0.62 | - | - | 24.5 | 36.5 | 852 | 127 | 109 | 40.1 | Стандарт |
EN
