DFN2020-6L MOSFET | N/Pチャネル・パワーMOSFET | 超低RDS(on)&コンパクト設計

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DFN2020-6L シリーズ

携帯機器および高密度電源設計向けDFN2020-6Lパッケージ採用、コンパクトで低RDS(on)MOSFET

DFN2020-6LシリーズのMOSFETは、超小型のフットプリントと非常に低いRDS(on)を備えており、NチャネルおよびPチャネルの構成で提供されます。優れた熱的および電気的性能を発揮するこれらのデバイスは、負荷スイッチング、リチウムイオンバッテリー保護、DC-DCコンバーター、同期整流、コンパクトな電源モジュールに最適です。

  • ポータブル電子機器向け電源管理
  • リチウムバッテリー保護回路
  • 同期整流および負荷スイッチ
  • DC-DCコンバーター、降圧昇圧トポロジー
  • テレコムおよび組み込み電源システム
製品名 パッケージ 状況 エスド 設定 タイプ VDSS (V) ID (A) PD (W) VGS (V) Tj (℃) Vth_典型 (V) Rdson@ VGS10V_典型 (mΩ) Rdson@ VGS10V_最大 (mΩ) Rdson@ VGS4.5V_典型 (mΩ) Rdson@ VGS4.5V_最大 (mΩ) Ciss_典型値 (pF) Coss_典型値 (pF) Crss_典型値 (pF) Qg_典型値 (nC) 等級
YJQ10N02A DFN2020-6L 活動 いいえ 独身 N 20 13 2.2 ±10 150 0.62 - - 7.8 9 888 133 117 11.05 工業用
YJQ10N03A DFN2020-6L 活動 いいえ 独身 N 30 10 16 ±12 150 0.7 - - 20 28 520 60 50 16.5 標準
YJQ1216A DFN2020-6L 活動 いいえ 独身 P -20 -16 18 ±10 150 -0.62 - - 11 19 2992 330 272 72.8 標準
YJQ13N03A DFN2020-6L 活動 いいえ 独身 N 30 13 2.9 ±20 150 1.5 7 12 11 15 1015 201 164 23.6 工業用
YJQ16N025A DFN2020-6L NRND いいえ 独身 N 25 16 6.25 ±20 150 1.5 4.5 6 7.5 10 1050 220 190 33 工業用
YJQ2012A DFN2020-6L 活動 いいえ 独身 N 20 12 2.5 ±10 150 0.62 - - 10 13 777 164 140 25.5 標準
YJQ3407B DFN2020-6L 活動 いいえ 独身 P -30 -10 15 ±20 150 -1.5 30 40 45 60 490 75 60 9 標準
YJQ4666B DFN2020-6L 活動 いいえ 独身 P -20 -7 2.2 ±10 150 -0.62 - - 24.5 36.5 852 127 109 40.1 標準

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