16 Гбіт швидкодіюча енергоефективна LPDDR4X DRAM для мобільних, автомобільних та вбудованих застосувань.
Огляд продукту
K4UBE3D4AB-MGCL — це високощільний 16 Гб чіп DRAM LPDDR4X від Samsung Semiconductor, організований як 2G × 8, сумісний зі стандартом JEDEC LPDDR4X. Підтримує швидкість передачі даних до 4266 Мбіт/с при роботі на напрузі 1,1 В, забезпечуючи високу енергоефективність та пропускну здатність. У компактному корпусі 200-ball FBGA забезпечує відмінну цілісність сигналу та термостабільність, що робить його ідеальним для смартфонів, автомобільних розважальних систем, контролерів штучного інтелекту та промислових застосувань IoT.
Основні особливості
Застосування
Технічні специфікації
| Параметр | Значення |
| Щільність | 16 Гб (2Г × 8) |
| Швидкість передачі даних | 4266 Мбіт/с |
| VDDQ | 1,1 В ± 0,06 В |
| Канали | 2 × 16-біт |
| Пакування | fBGA, 200 контактів |
| Розмір | 10 × 10 × 0,8 мм |
| Температурний діапазон | -40°C ~ +95°C |
| Функції | Навчання CA, автоматичне оновлення |
| Інтерфейс | LPDDR4X |
| Ефективність потужності | Глибокий сон / Самооновлення |
Запит на ціну
Для отримання актуальних даних про наявність на складі, ціни та терміни доставки K4UBE3D4AB-MGCL, будь ласка, вкажіть у запиті кількість (Qty), необхідний час поставки та цільову ціну. Наша команда оперативно надасть найкращу пропозицію та підтримку щодо комплектації BOM, разових поставок та управління запасами.