K4UBE3D4AB-MGCL | Samsung 32Gb LPDDR4X DRAM | Memoria móvil y automotriz de alta velocidad y bajo consumo

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K4UBE3D4AB-MGCL

solución de memoria LPDDR4X de 32 Gb con alta banda ancha y bajo consumo de energía para aplicaciones automotrices, móviles y sistemas embebidos inteligentes.

Descripción del producto

K4UBE3D4AB-MGCL es un dispositivo DRAM de 32 Gb LPDDR4X de Samsung, diseñado con un ancho de datos x32 y compatible con los estándares JEDEC LPDDR4X. Funciona a velocidades de hasta 4266 Mbps y admite operación multivoltaje (1,8 V / 1,1 V / 0,6 V), ofreciendo un excelente rendimiento de ancho de banda por vatio.

Su encapsulado FBGA de 200 bolas garantiza un buen comportamiento térmico, integridad de señal y flexibilidad de integración para aplicaciones móviles, automotrices, de inteligencia artificial y sistemas embebidos industriales.

 

Las características clave

  • dRAM LPDDR4X de alta densidad de 32 Gb
  • Estándar LPDDR4X conforme con JEDEC
  • Admite una tasa de datos de hasta 4266 Mbps
  • ancho de datos x32 para alto ancho de banda
  • Operación multivoltaje (1,8 V / 1,1 V / 0,6 V)
  • Modos de suspensión profunda, autoactualización y ahorro de energía avanzado
  • Ideal para cargas de trabajo de IA en el borde, sistemas de infoentretenimiento automotriz y plataformas móviles
  • paquete de alta densidad FBGA de 200 bolas

 

Aplicaciones

  • Controladores para infotenimiento automotriz (IVI) y ADAS
  • Tabletas y teléfonos inteligentes de alto rendimiento
  • Módulos de computación Edge-AI
  • Control industrial y terminales perimetrales IoT
  • Sistemas inteligentes de visión e imagen

 

Especificaciones técnicas

Parámetro Valor
Densidad 32GB
Organización 2G × 16 × 1 o 1G × 32
Tasa de datos 4266 Mbps
Voltaje 1.8V / 1.1V / 0.6V
Ancho de datos x32
Paquete fBGA de 200 bolas
Dimensiones 10 × 10 × 0,8 mm
Temp Op –25°C ~ +85°C
Revivir Auto/Reactualización
Interfaz LPDDR4X

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