K4UBE3D4AB-MGCL

โซลูชันหน่วยความจำ LPDDR4X ความจุ 32Gb ความเร็วสูงและกินไฟต่ำสำหรับระบบยานยนต์ อุปกรณ์มือถือ และระบบฝังตัวอัจฉริยะ

คำอธิบายผลิตภัณฑ์

ภาพรวมผลิตภัณฑ์

K4UBE3D4AB-MGCL เป็นอุปกรณ์ LPDDR4X DRAM ขนาด 32Gb จาก Samsung ที่ออกแบบด้วยความกว้างข้อมูล x32 และเป็นไปตามมาตรฐาน JEDEC LPDDR4X ทำงานที่ความเร็วสูงสุดถึง 4266 Mbps และรองรับการใช้งานแรงดันไฟฟ้าหลายระดับ (1.8V / 1.1V / 0.6V) มอบประสิทธิภาพการใช้แบนด์วิดธ์ต่อวัตต์ที่ยอดเยี่ยม

แพคเกจ FBGA 200 บอลของมันมั่นใจได้ถึงพฤติกรรมทางความร้อนที่ดี การรักษาความสมบูรณ์ของสัญญาณ และความยืดหยุ่นในการรวมระบบ สำหรับการประยุกต์ใช้งานในอุปกรณ์มือถือ ยานยนต์ ปัญญาประดิษฐ์ และระบบฝังตัวอุตสาหกรรม

ลักษณะสําคัญ

lPDDR4X DRAM ความจุสูง 32Gb
สอดคล้องตามมาตรฐาน LPDDR4X ของ JEDEC
รองรับอัตราการส่งข้อมูลสูงสุดถึง 4266 Mbps
ความกว้างข้อมูล x32 เพื่อแบนด์วิดธ์สูง
การใช้งานแรงดันไฟฟ้าหลายระดับ (1.8V / 1.1V / 0.6V)
โหมดประหยัดพลังงานขั้นสูง เช่น โหมดสลีปลึก การรีเฟรชอัตโนมัติ และโหมดอื่นๆ
เหมาะอย่างยิ่งสำหรับงานประมวลผล AI ที่ขอบเครือข่าย (AI edge), ระบบความบันเทิงในรถยนต์ และแพลตฟอร์มมือถือ
แพคเกจความหนาแน่นสูง 200-Ball FBGA

Applications

คอนโทรลเลอร์ระบบสาระบันเทิงในรถยนต์ (IVI) และระบบ ADAS
แท็บเล็ตและสมาร์ทโฟนประสิทธิภาพสูง
โมดูลการประมวลผล Edge-AI
ระบบควบคุมอุตสาหกรรมและเทอร์มินัล IoT แบบเอจ
ระบบวิชันอัจฉริยะและการถ่ายภาพ

ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค

พารามิเตอร์	ค่า
ความหนาแน่น	32GB
องค์กร	2G × 16 × 1 หรือ 1G × 32
อัตราการข้อมูล	4266 Mbps
โลต	1.8V / 1.1V / 0.6V
ความกว้างของข้อมูล	x32
แพ็คเกจ	200-Ball FBGA
ขนาด	10 × 10 × 0.8 มม.
อุณหภูมิการทำงาน	–25°C ~ +85°C
อัพเดทใหม่	รีเฟรชอัตโนมัติ/รีเฟรชด้วยตนเอง
อินเทอร์เฟซ	LPDDR4X