K4UBE3D4AB-MGCL

solução de memória de alta largura de banda e baixo consumo de energia LPDDR4X de 32 Gb para aplicações automotivas, móveis e sistemas embarcados inteligentes.

Descrição do Produto

Visão geral do produto

O K4UBE3D4AB-MGCL é um dispositivo DRAM LPDDR4X de 32 Gb da Samsung, projetado com largura de dados x32 e compatível com os padrões JEDEC LPDDR4X. Operando a velocidades de até 4266 Mbps e suportando operação multivoltagem (1,8 V / 1,1 V / 0,6 V), oferece excelente desempenho de largura de banda por watt.

Seu encapsulamento FBGA de 200 terminais garante bom comportamento térmico, integridade de sinal e flexibilidade de integração para aplicações móveis, automotivas, de IA e industriais embarcadas.

Principais Características

dRAM LPDDR4X de alta densidade de 32 Gb
Padrão LPDDR4X compatível com JEDEC
Suporta taxa de dados de até 4266 Mbps
largura de dados x32 para alta largura de banda
Operação multivoltagem (1,8 V / 1,1 V / 0,6 V)
Modos de hibernação profunda, autoatualização e economia avançada de energia
Ideal para cargas de trabalho de IA na borda, infotenimento automotivo e plataformas móveis
pacote de alta densidade 200-Ball FBGA

Aplicações

Controladores automotivos de infotenimento (IVI) e ADAS
Tablets e smartphones de alto desempenho
Módulos de computação Edge-AI
Controle industrial e terminais IoT de borda
Sistemas inteligentes de visão e imagem

Especificações Técnicas

Parâmetro	Valor
Densidade	32GB
Organização	2G × 16 × 1 ou 1G × 32
Taxa de dados	4266 Mbps
Voltagem	1,8V / 1,1V / 0,6V
Largura de Dados	x32
Pacote	fBGA de 200 bolas
Dimensões	10 × 10 × 0,8 mm
Tempo Op	–25°C ~ +85°C
Atualização	Auto/Auto Atualização
Interface	LPDDR4X

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