K4UBE3D4AB-MGCL

32Gb LPDDR4X řešení paměti s vysokou propustností a nízkou spotřebou pro automobilové, mobilní a inteligentní vestavěné systémy.

Popis výrobku

Přehled produktu

K4UBE3D4AB-MGCL je 32Gb LPDDR4X DRAM čip od Samsungu, navržený s datovou šířkou x32 a vyhovující standardům JEDEC LPDDR4X. Pracuje rychlostmi až 4266 Mbps a podporuje provoz s více napěťovými úrovněmi (1,8 V / 1,1 V / 0,6 V), čímž dosahuje vynikajícího poměru propustnosti na spotřebu.

Jeho 200vývodový balení FBGA zajišťuje vynikající tepelné chování, integritu signálu a flexibilitu integrace pro mobilní, automobilové, AI a průmyslové embedded aplikace.

Klíčové vlastnosti

32Gb vysokohustotní LPDDR4X DRAM
Standard LPDDR4X vyhovující normě JEDEC
Podpora přenosové rychlosti až 4266 Mbps
datová šířka x32 pro vysokou propustnost
Provoz s více napěťovými úrovněmi (1,8 V / 1,1 V / 0,6 V)
Hluboký spánek, samoobnovování a pokročilé režimy úspory energie
Ideální pro AI úlohy na hranici sítě, automobilové infotainment a mobilní platformy
200-kulový FBGA vysokohustotní balení

Použití

Automobilové infotainmentové (IVI) a ADAS řadiče
Výkonné tablety a chytré telefony
Hranové AI výpočetní moduly
Průmyslové řízení a hranové terminály IoT
Chytrá vize a zobrazovací systémy

Technické specifikace

Parametr	Hodnota
Hustota	32GB
Organizaci	2G × 16 × 1 nebo 1G × 32
Datový přenos	4266 Mb/s
Napětí	1,8 V / 1,1 V / 0,6 V
Šířka dat	x32
Balení	200-vývodové FBGA
Rozměry	10 × 10 × 0,8 mm
Provozní teplota	–25 °C ~ +85 °C
Znovupravit	Automatické/Samostatné obnovování
Rozhraní	LPDDR4X

Žádost o cenovou nabídku

Pro informace o aktuálních zásobách, cenách a dodacích lhůtách pro K4UBE3D4AB-MGCL uveďte prosím ve svém RFQ počet kusů (Qty), požadovanou dodací dobu a cílovou cenu.

Náš tým rychle odpoví s optimalizovanými cenami, možnostmi kompletace BOM, okamžitou dodávkou a podporou správy zásob.