K4UBE3D4AB-MGCL

32-Gb-LPDDR4X-Hochleistungs-Speicherlösung mit hoher Bandbreite und geringem Stromverbrauch für Automotive-, Mobil- und intelligente Embedded-Systeme.

Produktbeschreibung

PRODUKTOVERSICHT

K4UBE3D4AB-MGCL ist ein 32 Gb LPDDR4X DRAM-Baustein von Samsung mit einer x32-Datenbreite und konform mit den JEDEC LPDDR4X-Standards. Mit Geschwindigkeiten von bis zu 4266 Mbps und Unterstützung für Mehrfachspannungsbetrieb (1,8 V / 1,1 V / 0,6 V) bietet es eine hervorragende Bandbreite pro Watt.

Das 200-polige FBGA-Gehäuse gewährleistet ein gutes thermisches Verhalten, Signalintegrität sowie flexible Integration in mobilen, automobilen, KI- und industriellen Embedded-Anwendungen.

Hauptmerkmale

32 Gb Hochdichte LPDDR4X DRAM
JEDEC-konformer LPDDR4X-Standard
Unterstützt Datenraten von bis zu 4266 Mbps
x32 Datenbreite für hohe Bandbreite
Mehrfachspannungsbetrieb (1,8 V / 1,1 V / 0,6 V)
Tiefschlaf-, Selbstverwaltungs- und fortschrittliche Stromsparmodi
Ideal für KI-Edge-Anwendungen, Automotive-Infotainment und mobile Plattformen
200-Ball FBGA Hochdichtepackung

Anwendungen

Automotive-Infotainment (IVI) und ADAS-Controller
Hochleistungstablets und Smartphones
Edge-AI-Rechenmodule
Industrielle Steuerungen und IoT-Edge-Terminals
Intelligente Vision- und Bildverarbeitungssysteme

Technische Spezifikationen

Parameter	Wert
Dichte	32GB
Organisation	2G × 16 × 1 oder 1G × 32
Datenrate	4266 Mbps
Spannung	1,8 V / 1,1 V / 0,6 V
Datenbreite	x32
Verpackung	200-Ball FBGA
Abmessungen	10 × 10 × 0,8 mm
Betriebstemperatur	–25 °C ~ +85 °C
Aktualisieren	Auto/Selbstaktualisierung
Schnittstelle	LPDDR4X

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