K4UBE3D4AB-MGCL

mobil, otomotiv ve gömülü uygulamalar için 16Gb yüksek hızlı, düşük güç tüketimli LPDDR4X DRAM.

Ürün Açıklaması

Ürün Genel Bakış

K4UBE3D4AB-MGCL, 2G × 8 şeklinde organize edilmiş, JEDEC LPDDR4X standartlarına uyumlu olan Samsung Semiconductor'ın yüksek yoğunluklu 16Gb'lık bir LPDDR4X DRAM çipidir. 1.1V'de çalışırken maksimum 4266 Mbps veri hızını destekler ve üstün enerji verimliliği ile bant genişliği sunar. Kompakt 200-topluluk FBGA paketi sayesinde mükemmel sinyal bütünlüğü ve termal stabilite sağlar ve akıllı telefonlar, otomotiv bilgi-eğlence sistemleri, yapay zeka kontrolcüleri ve endüstriyel IoT uygulamaları için idealdir.

Temel Özellikler

JEDEC uyumlu LPDDR4X standardı
Maksimum 4266 Mbps veri hızlarını destekler (LPDDR4X-4266)
Ultra düşük güç tüketimi için 1.1V ± 0.06V düşük voltajda çalışır
Geliştirilmiş bant genişliği için çift kanallı (2 × 16-bit) mimari
Hassas zamanlama kalibrasyonu için CA eğitimini destekler
Güç optimizasyonu için otomatik yenileme ve derin güç kapatma modları
Sinyal ve termal güvenilirliği sağlayan kompakt 200 bilyeli FBGA paketi
Mobil, otomotiv ve endüstriyel gömülü platformlar için idealdir

Uygulamalar

Akıllı telefonlar ve tabletler
Otomotiv bilgi-eğlence ve navigasyon sistemleri
Yapay zeka hesaplama ve edge cihazları
Endüstriyel otomasyon ve IoT denetleyicileri
Tüketici elektroniği ve giyilebilir ürünler

Teknik özellikler

Parametre	Değer
Yoğunluk	16 Gb (2G × 8)
Veri oranı	4266 Mbps
VDDQ	1.1V ± 0.06V
Kanallar	2 × 16-bit
Paketleme	200 Topluluklu FBGA
Boyut	10 × 10 × 0.8 mm
Sıcaklık Aralığı	-40°C ~ +95°C
Fonksiyonlar	CA Eğitimi, Otomatik Yenileme
Arayüz	LPDDR4X
Enerji Verimliliği	Derin Uyku / Kendini Yenileme

Teklif Talebi

K4UBE3D4AB-MGCL ürününün gerçek zamanlı stok, fiyat ve teslimat bilgileri için Lütfen Miktarınızı (Adet), Gerekli Teslim Süresini ve Hedef Fiyatınızı RFQ'nuzda belirtin. Ekibimiz BOM kiti, acil temin ve envanter yönetimi konularında en iyi teklifi ve desteği hızlı bir şekilde sunacaktır.