16 GB szybkiej pamięci DRAM LPDDR4X o niskim poborze mocy dla urządzeń mobilnych, motoryzacyjnych i zastosowań wbudowanych.
Przegląd produktu
K4UBE3D4AB-MGCL to wysokogęstościowy chip pamięci DRAM LPDDR4X o pojemności 16Gb firmy Samsung Semiconductor, ułożony jako 2G × 8, zgodny ze standardem JEDEC LPDDR4X. Obsługuje prędkości do 4266 Mbps przy napięciu pracy 1,1 V, oferując doskonałą efektywność energetyczną i dużą przepustowość. Dzięki kompaktowemu obudowie FBGA z 200 wyprowadzeniami zapewnia doskonałą integralność sygnału i stabilność termiczną, co czyni go idealnym rozwiązaniem dla smartfonów, systemów rozrywki w pojazdach, kontrolerów AI oraz aplikacji przemysłowych IoT.
Kluczowe cechy
Zastosowania
Specyfikacje techniczne
| Parametr | Wartość |
| Gęstość | 16 GB (2G × 8) |
| Wskaźnik danych | 4266 Mbps |
| VDDQ | 1,1 V ± 0,06 V |
| Kanały | 2 × 16-bit |
| Opakowanie | obudowa FBGA 200-pinowa |
| Wymiary | 10 × 10 × 0,8 mm |
| Zakres temperatur | -40°C ~ +95°C |
| Funkcje | Szkolenie CA, automatyczne odświeżanie |
| Interfejs | LPDDR4X |
| Wydajność energetyczna | Głęboki Sen / Odświeżanie Własne |
Prośba o wycenę
Aby uzyskać aktualne informacje o stanie magazynowym, cenach i terminach dostawy produktu K4UBE3D4AB-MGCL, podaj w swoim zapytaniu ofertowe ilość (Qty), wymagany czas realizacji oraz cenę docelową. Nasz zespół niezwłocznie przedstawi najlepszą ofertę oraz wsparcie w zakresie kompletacji BOM, dostaw hurtowych i zarządzania zapasami.