K4UBE3D4AB-MGCL | Samsung LPDDR4X 16 Gb-geheugenchip | Hoge snelheid, laagvermogen mobiel en automotive-geheugen

Productoverzicht

K4UBE3D4AB-MGCL is een hoogdichtheids 16 Gb LPDDR4X DRAM van Samsung Semiconductor, opgebouwd als 2G × 8, conform de JEDEC LPDDR4X-standaarden. Het ondersteunt snelheden tot 4266 Mbps bij een bedrijfsspanning van 1,1 V, waardoor uitstekende energie-efficiëntie en bandbreedte worden geboden. Met een compacte 200-knoop FBGA-behuizing zorgt het voor uitstekende signaalsignaliteit en thermische stabiliteit, ideaal voor smartphones, automotive-informatiesystemen, AI-controllers en industriële IoT-toepassingen.

Belangrijkste Kenmerken

• Conform de JEDEC LPDDR4X-standaard
• Ondersteunt datatransmissiesnelheden tot 4266 Mbps (LPDDR4X-4266)
• Functioneert bij lage spanning van 1,1 V ± 0,06 V voor ultralaag stroomverbruik
• Dual-channel (2 × 16-bit) architectuur voor verbeterde bandbreedte
• Ondersteunt CA-training voor nauwkeurige tijdkalibratie
• Automatisch vernieuwen en diepe powersave-modi voor stroomoptimalisatie
• Compacte 200-ball FBGA-behuizing voor betrouwbare signaal- en thermische prestaties
• Ideaal voor mobiele, automotive en industriële ingebedde platforms

Toepassingen

• Smartphones en tablets
• Automotive informatie- en navigatiesystemen
• AI-computing en edge-apparaten
• Industriële automatisering en IoT-controllers
• Consumentenelektronica en draagbare producten

Technische specificaties

Offerteaanvraag

Voor actuele voorraadinformatie, prijzen en levertijd van K4UBE3D4AB-MGCL, gelieve uw Aantal (Qty), Gewenste doorlooptijd en Doelprijs op te nemen in uw RFQ. Ons team zal snelst mogelijke een optimale offerte aanbieden, inclusief ondersteuning voor BOM-kitting, spotlevering en voorraadbeheer.