K4UBE3D4AB-MGCL | 삼성 LPDDR4X 16Gb 메모리 칩 | 고속, 저전력 모바일 및 자동차 메모리

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K4UBE3D4AB- MGCL

모바일, 자동차 및 임베디드 응용 분야를 위한 16Gb 고속 저전력 LPDDR4X DRAM.

제품 개요

K4UBE3D4AB-MGCL은 삼성반도체에서 제조한 고밀도 16Gb LPDDR4X DRAM로, 2G × 8 구조이며 JEDEC LPDDR4X 표준을 준수합니다. 최대 4266 Mbps의 전송 속도를 지원하며 1.1V에서 동작하여 뛰어난 에너지 효율성과 대역폭을 제공합니다. 소형 200볼 FBGA 패키지를 채택하여 탁월한 신호 무결성과 열 안정성을 보장하며, 스마트폰, 자동차 인포테인먼트 시스템, AI 컨트롤러 및 산업용 IoT 응용 분야에 이상적입니다.

 

주요 특징

  • JEDEC 준수 LPDDR4X 표준
  • 최대 4266 Mbps의 데이터 전송률 지원(LPDDR4X-4266)
  • 초저전력 소비를 위한 1.1V ± 0.06V의 저전압 동작
  • 대역폭 향상을 위한 듀얼 채널(2 × 16비트) 아키텍처
  • 정밀한 타이밍 캘리브레이션을 위한 CA 트레이닝 지원
  • 전력 최적화를 위한 오토리프레시 및 딥 파워다운 모드
  • 신호 및 열적 신뢰성을 보장하는 소형 200볼 FBGA 패키지
  • 모바일, 자동차 및 산업용 임베디드 플랫폼에 이상적

 

응용 분야

  • 스마트폰 및 태블릿
  • 자동차 인포테인먼트 및 내비게이션 시스템
  • AI 컴퓨팅 및 엣지 디바이스
  • 산업 자동화 및 IoT 컨트롤러
  • 소비자 가전 및 웨어러블 제품

 

기술 사양

매개변수
밀도 16Gb (2G × 8)
데이터 비율 4266Mbps
VDDQ 1.1V ± 0.06V
채널 2 × 16비트
포장 200볼 FBGA
치수 10 × 10 × 0.8mm
온도 범위 -40°C ~ +95°C
기능 CA 트레이닝, 자동 리프레시
인터페이스 LPDDR4X
전력 효율성 딥 슬립 / 셀프 리프레시

 

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