K4UBE3D4AB-MGCL

dRAM LPDDR4X kecepatan tinggi, berdaya rendah 16Gb untuk aplikasi mobile, otomotif, dan tertanam.

Deskripsi Produk

Ikhtisar Produk

K4UBE3D4AB-MGCL adalah chip LPDDR4X DRAM berkepadatan tinggi 16Gb dari Samsung Semiconductor, disusun sebagai 2G × 8, sesuai dengan standar JEDEC LPDDR4X. Chip ini mendukung kecepatan hingga 4266 Mbps sambil beroperasi pada tegangan 1,1V, menawarkan efisiensi energi dan bandwidth yang unggul. Dengan kemasan FBGA 200-bola yang ringkas, chip ini memastikan integritas sinyal dan stabilitas termal yang sangat baik, ideal untuk smartphone, sistem infotainment otomotif, pengendali AI, dan aplikasi IoT industri.

Fitur Utama

Standar LPDDR4X sesuai JEDEC
Mendukung laju data hingga 4266 Mbps (LPDDR4X-4266)
Beroperasi pada tegangan rendah 1,1V ± 0,06V untuk konsumsi daya ultra-rendah
Arsitektur dual-channel (2 × 16-bit) untuk peningkatan bandwidth
Mendukung pelatihan CA untuk kalibrasi waktu yang presisi
Mode auto-refresh dan deep power-down untuk optimasi daya
Paket FBGA 200-ball yang kompak memastikan keandalan sinyal dan termal
Ideal untuk platform mobile, otomotif, dan industri embedded

Aplikasi

Smartphone dan Tablet
Sistem infotainment dan navigasi otomotif
Komputasi AI dan perangkat edge
Otomasi industri dan pengendali IoT
Elektronik konsumen dan produk wearable

Spesifikasi Teknis

Parameter	Nilai
Kepadatan	16 Gb (2G × 8)
Tingkat data	4266 Mbps
VDDQ	1,1 V ± 0,06 V
Saluran	2 × 16-bit
Paket	200-Ball FBGA
Dimensi	10 × 10 × 0,8 mm
Rentang suhu	-40°C ~ +95°C
Fungsi	Pelatihan CA, Penyegaran Otomatis
Antarmuka	LPDDR4X
Efisiensi Energi	Tidur Mendalam / Penyegaran Diri

Permintaan penawaran harga

Untuk informasi stok, harga, dan pengiriman real-time dari K4UBE3D4AB-MGCL, harap sertakan Jumlah (Qty), Waktu Pemesanan yang Dibutuhkan, dan Harga Target dalam permintaan penawaran harga (RFQ) Anda. Tim kami akan segera memberikan penawaran terbaik serta dukungan untuk kitting BOM, pasokan spot, dan manajemen inventaris.