ROHM lanza el encapsulado DOT-247: mejora el rendimiento y la flexibilidad de aplicación de los semiconductores de potencia de SiC

El paquete TO-247 ha sido ampliamente utilizado en el campo de los semiconductores de potencia durante décadas, particularmente en fuentes de alimentación y sistemas industriales. Sin embargo, a medida que los dispositivos de carburo de silicio (SiC) se convierten en el núcleo de la electrónica de potencia de alta eficiencia, el paquete TO-247 tradicional está llegando a sus límites en cuanto al tamaño del chip y la densidad de potencia del sistema.

El 16 de septiembre, ROHM lanzó oficialmente el nuevo paquete DOT-247. Esta solución adopta un diseño "2-en-1", combinando dos dispositivos TO-247 en una sola unidad para lograr una mayor densidad de potencia y una menor resistencia térmica. Según datos oficiales, el DOT-247 reduce la resistencia térmica aproximadamente en un 15 % y corta a la mitad la inductancia parásita. En una topología de puente medio, ofrece 2,3 veces la densidad de potencia del TO-247 tradicional.

En cuanto a aplicaciones, el valor del paquete DOT-247 radica no solo en parámetros mejorados, sino también en su flexibilidad topológica. Hoy en día, la mayoría de los inversores fotovoltaicos aún adoptan arquitecturas de dos niveles. Sin embargo, a medida que crece la demanda de mayor voltaje y eficiencia, los circuitos trifásicos NPC, T-NPC e incluso ANPC de cinco niveles están ganando rápidamente terreno. El paquete modular DOT-247 soporta directamente diversas topologías, reduciendo la necesidad de que los diseñadores dependan de ensamblajes discretos o módulos personalizados, lo que reduce costos y acorta los ciclos de desarrollo.

Este paquete es particularmente adecuado para aplicaciones de alto voltaje, como sistemas de energía fotovoltaica, unidades de alimentación ininterrumpida (UPS), estaciones de carga para vehículos eléctricos (EV) y convertidores elevadores para vehículos de pila de combustible (FCV). Puede reducir significativamente la cantidad de componentes y el área de instalación. Además, DOT-247 ofrece soluciones de diseño compacto para aplicaciones emergentes como los circuitos eFuse en servidores de inteligencia artificial.

Para acelerar la adopción en el mercado, ROHM ha lanzado placas de evaluación y kits de prueba de doble pulso, con modelos LTspice programados para su lanzamiento en octubre y un diseño de referencia de inversor trifásico en noviembre. Mientras tanto, las muestras automotrices DOT-247 estarán disponibles próximamente, cumpliendo con los estándares AEC-Q101 para respaldar vehículos eléctricos y otras aplicaciones de alta confiabilidad.

ROHM ha establecido una ventaja verticalmente integrada en el campo del SiC, desde su marca EcoSiC™ hasta su sistema de producción interna. El lanzamiento del DOT-247 ofrece a la industria de semiconductores de potencia una transición práctica y eficiente, cubriendo la brecha entre dispositivos discretos y módulos de alta potencia. Dado que ningún otro fabricante ha lanzado productos similares hasta la fecha, el enfoque de ROHM podría marcar la tendencia para la próxima generación de encapsulados de SiC.

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