ROHM Lança Invólucro DOT-247: Aumentando o Desempenho e a Flexibilidade de Aplicação dos Semicondutores de Potência SiC

O invólucro TO-247 tem sido amplamente utilizado no campo dos semicondutores de potência há décadas, particularmente em fontes de alimentação e sistemas industriais. No entanto, à medida que os dispositivos de carbeto de silício (SiC) se tornam o núcleo da eletrônica de potência de alta eficiência, o invólucro tradicional TO-247 está atingindo seus limites em termos de tamanho do chip e densidade de potência do sistema.

Em 16 de setembro, a ROHM lançou oficialmente o novo invólucro DOT-247. Esta solução adota um design "2-em-1", combinando dois dispositivos TO-247 em uma única unidade para alcançar maior densidade de potência e menor resistência térmica. De acordo com dados oficiais, o DOT-247 reduz a resistência térmica em cerca de 15% e corta pela metade a indutância parasita. Em uma topologia de meia ponte, oferece 2,3 vezes a densidade de potência do TO-247 tradicional.

Em termos de aplicações, o valor do DOT-247 reside não apenas em parâmetros aprimorados, mas também na sua flexibilidade topológica. Hoje, a maioria dos inversores fotovoltaicos ainda adota arquiteturas de dois níveis. No entanto, com o aumento da demanda por maior tensão e eficiência, circuitos de três níveis NPC, T-NPC e até mesmo ANPC de cinco níveis estão ganhando tração rapidamente. O pacote modular DOT-247 suporta diretamente várias topologias, reduzindo a necessidade de os projetistas dependerem de montagens discretas ou módulos personalizados, diminuindo assim os custos e encurtando os ciclos de desenvolvimento.

Este pacote é particularmente adequado para aplicações de alta tensão, como sistemas de energia fotovoltaica, unidades de UPS, estações de carregamento de veículos elétricos (EV) e conversores elevadores para veículos a célula de combustível (FCV). Pode reduzir significativamente a quantidade de componentes e a área de instalação. Além disso, o DOT-247 oferece soluções de design compacto para aplicações emergentes, como circuitos eFuse em servidores de IA.

Para acelerar a adoção no mercado, a ROHM lançou placas de avaliação e kits de teste de pulso duplo, com modelos LTspice programados para lançamento em outubro e um projeto de referência de inversor trifásico em novembro. Enquanto isso, amostras automotivas DOT-247 estarão disponíveis em breve, atendendo aos padrões AEC-Q101 para apoiar veículos elétricos e outras aplicações de alta confiabilidade.

A ROHM estabeleceu uma vantagem verticalmente integrada no campo do SiC, desde sua marca EcoSiC™ até seu sistema de produção interna. O lançamento do DOT-247 oferece à indústria de semicondutores de potência um caminho prático e eficiente de transição, preenchendo a lacuna entre dispositivos discretos e módulos de alta potência. Como nenhum outro fabricante lançou produtos semelhantes até hoje, a abordagem da ROHM pode definir a tendência para a próxima geração de encapsulamentos de SiC.

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