16 GB de DRAM LPDDR4X de baja potencia y alta velocidad para aplicaciones móviles, automotrices y embebidas.
Descripción del producto
K4UBE3D4AB-MGCL es un chip DRAM LPDDR4X de alta densidad de 16 Gb de Samsung Semiconductor, organizado como 2G × 8, compatible con los estándares JEDEC LPDDR4X. Soporta velocidades de hasta 4266 Mbps funcionando a 1.1V, ofreciendo una eficiencia energética y ancho de banda superiores. Con un paquete FBGA compacto de 200 bolas, garantiza una excelente integridad de señal y estabilidad térmica, ideal para smartphones, sistemas de infoentretenimiento automotriz, controladores de IA y aplicaciones industriales IoT.
Las características clave
Aplicaciones
Especificaciones técnicas
| Parámetro | Valor |
| Densidad | 16 Gb (2G × 8) |
| Tasa de datos | 4266 Mbps |
| VDDQ | 1.1V ± 0.06V |
| Canales | 2 × 16 bits |
| Paquete | fBGA de 200 bolas |
| Dimensión | 10 × 10 × 0,8 mm |
| Rango de temperatura | -40°C ~ +95°C |
| Funciones | Capacitación CA, actualización automática |
| Interfaz | LPDDR4X |
| Eficiencia energética | Sueño profundo / Autoactualización |
Solicitud de cotización
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