K4UBE3D4AB-MGCL | Samsung LPDDR4X 16Gb Speicherchip | Hochgeschwindigkeits-, energiesparender Mobil- und Automotive-Speicher

PRODUKTOVERSICHT

K4UBE3D4AB-MGCL ist ein hochdichter 16-Gb-LPDDR4X-DRAM von Samsung Semiconductor, organisiert als 2G × 8, konform mit den JEDEC-LPDDR4X-Standards. Er unterstützt Geschwindigkeiten bis zu 4266 Mbps bei einer Betriebsspannung von 1,1 V und bietet so eine hervorragende Energieeffizienz und Bandbreite. Dank des kompakten 200-Pin-FBGA-Gehäuses gewährleistet er eine exzellente Signalintegrität und thermische Stabilität und eignet sich ideal für Smartphones, Automotive-Infotainmentsysteme, KI-Controller sowie industrielle IoT-Anwendungen.

Hauptmerkmale

• JEDEC-konformer LPDDR4X-Standard
• Unterstützt Datentransferraten bis zu 4266 Mbps (LPDDR4X-4266)
• Betrieb mit niedriger Spannung von 1,1 V ± 0,06 V für extrem geringen Stromverbrauch
• Zweikanalige Architektur (2 × 16 Bit) für erhöhte Bandbreite
• Unterstützt CA-Schulung für präzise Zeitkalibrierung
• Automatische Aktualisierung und Deep-Power-Down-Modi zur Leistungsoptimierung
• Kompaktes 200-Ball-FBGA-Gehäuse für Signal- und thermische Zuverlässigkeit
• Ideal für mobile, automotive und industrielle Embedded-Plattformen

Anwendungen

• Smartphones und Tablets
• Automotive Infotainmentsysteme und Navigationssysteme
• KI-Berechnung und Edge-Geräte
• Industrielle Automatisierung und IoT-Controller
• Consumer-Elektronik und tragbare Produkte

Technische Spezifikationen

Angebotsanfrage

Für aktuelle Informationen zu Lagerbestand, Preisen und Lieferzeiten von K4UBE3D4AB-MGCL geben Sie bitte Ihre Menge (Qty), benötigte Vorlaufzeit und Zielpreis in Ihrer RFQ an. Unser Team wird Ihnen umgehend das beste Angebot unterbreiten und Unterstützung bei BOM-Kitting, Spot-Beschaffung und Bestandsmanagement bieten.