K4UBE3D4AB-MGCL | Čip paměti Samsung LPDDR4X 16Gb | Vysokorychlostní, nízkoenergetická mobilní a automobilová paměť

Přehled produktu

K4UBE3D4AB-MGCL je vysoce výkonná 16Gb LPDDR4X DRAM od společnosti Samsung Semiconductor, uspořádaná jako 2G × 8, vyhovující standardu JEDEC LPDDR4X. Podporuje přenosové rychlosti až 4266 Mbps při provozním napětí 1,1 V, čímž nabízí vynikající energetickou účinnost a širokou propustnost. Díky kompaktnímu pouzdru 200-ball FBGA zajišťuje vynikající integritu signálu a tepelnou stabilitu, což ji činí ideální pro chytré telefony, automobilové zábavní systémy, řadiče umělé inteligence a průmyslové aplikace IoT.

Klíčové vlastnosti

• Standard LPDDR4X vyhovující normě JEDEC
• Podporuje přenosové rychlosti až 4266 Mbps (LPDDR4X-4266)
• Provoz při nízkém napětí 1,1 V ± 0,06 V pro extrémně nízkou spotřebu energie
• Dvoukanálová architektura (2 × 16bit) pro zvýšenou propustnost
• Podporuje CA školení pro přesnou kalibraci časování
• Automatické obnovování a režim hlubokého úsporného napájení pro optimalizaci spotřeby energie
• Kompaktní pouzdro FBGA s 200 vývody zajišťující spolehlivost signálu a tepelnou stabilitu
• Ideální pro mobilní, automobilové a průmyslové vestavěné platformy

Použití

• Chytré telefony a tablety
• Automobilové infotainmenťové a navigační systémy
• Umělá inteligence a edge zařízení
• Průmyslová automatizace a řadiče IoT
• Spotřební elektronika a nositelné produkty

Technické specifikace

Žádost o cenovou nabídku

Pro aktuální informace o skladových zásobách, cenách a dodávkách K4UBE3D4AB-MGCL uveďte ve svém RFQ požadované množství (Qty), požadovanou dodací dobu a cílovou cenu. Náš tým vám rychle nabídne nejlepší cenovou nabídku a podporu při sestavování BOM, dodávce kusových zboží a správě zásob.