MT53E512M32D1ZW-046 AAT:B

หน่วยความจำ LPDDR4X ที่กินไฟต่ำและมีแบนด์วิธสูงสำหรับอุปกรณ์มือถือ AIoT และระบบอุตสาหกรรมแบบฝังตัว

คำอธิบายผลิตภัณฑ์

ภาพรวมผลิตภัณฑ์

MT53E512M32D1ZW-046 AAT:B เป็น LPDDR4X SDRAM ขนาด 4GB จาก Micron ที่ออกแบบมาสำหรับผลิตภัณฑ์มือถือ แพลตฟอร์ม AIoT ขอบเขต อุตสาหกรรมคอนโทรลเลอร์ และระบบมัลติมีเดีย เป็นส่วนหนึ่งของตระกูล LPDDR4X ที่ใช้พลังงานต่ำ รองรับอัตราการส่งข้อมูลได้สูงสุดถึง 4266Mbps ในขณะที่ทำงานที่ VDD2 = 0.6V ช่วยลดการใช้พลังงานในระดับระบบอย่างมีนัยสำคัญ

ประสิทธิภาพด้านแบนด์วิดธ์สูงและเวลาแฝงต่ำ ทำให้เหมาะสำหรับเส้นทางการประมวลผลภาพ งานประมวลผลปัญญาประดิษฐ์ การเรนเดอร์มัลติมีเดีย และแอปพลิเคชันฝังตัวประสิทธิภาพสูงแบบเรียลไทม์อื่นๆ

ลักษณะสําคัญ

แพลตฟอร์ม LPDDR4X จาก Micron ที่มีแบนด์วิดธ์สูงและใช้พลังงานต่ำ
ความจุ 4GB (จัดเรียง 512M × 32)
อัตราการส่งข้อมูลสูงสุดถึง 4266Mbps
การทำงานที่แรงดันต่ำมาก (VDD2 = 0.6V)
ปรับแต่งเพื่อการทำงานขนานด้านภาพ วิดีโอ และงานปัญญาประดิษฐ์
สถาปัตยกรรมของกลุ่มธนาคารช่วยเพิ่มอัตราการผ่านข้อมูล
ความน่าเชื่อถือระดับอุตสาหกรรมสำหรับการใช้งานระยะยาว
บรรจุภัณฑ์ FBGA เหมาะสำหรับการออกแบบฝังตัวที่กะทัดรัด

ฟิลด์แอปพลิเคชัน

สมาร์ทโฟนและแท็บเล็ต
แพลตฟอร์มการประมวลผลขอบสำหรับ AIoT
ระบบฝังตัวอุตสาหกรรม, HMI, PLC
อุปกรณ์เฝ้าระวังอัจฉริยะและวิชันคอมพิวเตอร์
VR/AR, ระบบแสดงผล, เครื่องยนต์มัลติมีเดีย
การถ่ายภาพทางการแพทย์และเครื่องมือแบบพกพา
ระบบความบันเทิงในยานยนต์ (ระดับที่ไม่ใช่ยานยนต์; ขึ้นอยู่กับโครงการ)

ข้อมูลจำเพาะหลัก

รายการ	ข้อมูลจำเพาะ
ความหนาแน่น	4GB
องค์กร	512M × 32
ประเภทความจํา	LPDDR4X SDRAM
อัตราการข้อมูล	4266Mbps
โลตติจ์การทํางาน	VDD2 = 0.6V
ผู้ผลิต	ไมครอน
แพ็คเกจ	FBGA
มาตรฐาน	JEDEC LPDDR4X
อุณหภูมิในการทำงาน	-25°C ~ +85°C

ขอใบเสนอราคา

ต้องการขอราคาสำหรับ MT53E512M32D1ZW-046 AAT:B รวมถึงความพร้อมมีสินค้า ระยะเวลานำส่ง ปริมาณการสั่งซื้อขั้นต่ำ (MOQ) รายละเอียดล็อต เอกสารข้อมูลจำเพาะ หรือรายการทดแทนที่แนะนำ กรุณาส่ง RFQ ของคุณ

รองรับการจัดหาแบบทันที การจัดหาชิ้นส่วนที่ขาดแคลน การจัดชุด BOM และการวางแผนการจัดหาเพื่อการผลิตในระยะยาว