MT53E512M32D1ZW-046 AAT:B | Micron 4GB LPDDR4X SDRAM | High-Bandwidth Low-Power DRAM

Огляд продукту

MT53E512M32D1ZW-046 AAT:B — це 4 ГБ LPDDR4X SDRAM від Micron, розроблена для мобільних пристроїв, платформ штучного інтелекту на периферії (AIoT), промислових контролерів та мультимедійних систем. Як частина серії LPDDR4X з низьким енергоспоживанням, підтримує швидкість передачі даних до 4266 Мбіт/с при роботі з VDD2 = 0,6 В, що значно зменшує енергоспоживання на рівні системи.

Висока пропускна здатність і низька затримка роблять її придатною для обробки зображень, завдань штучного інтелекту, відтворення мультимедіа та інших високопродуктивних вбудованих застосунків у реальному часі.

Основні особливості

• Платформа Micron LPDDR4X з високою пропускною здатністю та низьким енергоспоживанням
• обсяг 4 ГБ (організація 512M × 32)
• Швидкість передачі даних до 4266 Мбіт/с
• Робота з наднизькою напругою (VDD2 = 0,6 В)
• Оптимізована для паралельної обробки зображень, відео та завдань штучного інтелекту
• Архітектура групи банків підвищує пропускну здатність
• Промислова надійність для тривалого використання
• Корпус FBGA, підходить для компактних вбудованих рішень

Сфери застосування

• Смартфони та планшети
• Платформи крайового обчислення AIoT
• Промислові вбудовані системи, HMI, PLC
• Розумні системи спостереження та пристрої комп'ютерного зору
• VR/AR, дисплеї, мультимедійні процесори
• Медична візуалізація та портативні інструменти
• Автомобільні системи інформації та розваг (неавтомобільного класу; залежно від проекту)

Ключові характеристики

Запит на ціну

Щоб запросити ціни на MT53E512M32D1ZW-046 AAT:B — включаючи наявність, термін поставки, MOQ, деталі партії, технічний опис або рекомендовані заміни — надішліть, будь ласка, свій RFQ.

Підтримується постачання окремими партіями, пошук дефіцитних компонентів, комплектація BOM та довгострокове планування виробничих поставок.