MT53E512M32D1ZW-046 AAT:B | Micron 4GB LPDDR4X SDRAM | High-Bandwidth Low-Power DRAM

Pangkalahatang-ideya ng Produkto

Ang MT53E512M32D1ZW-046 AAT:B ay isang 4GB na LPDDR4X SDRAM mula sa Micron, dinisenyo para sa mga mobile device, AIoT edge platform, industrial controller, at multimedia system. Bilang bahagi ng pamilya ng LPDDR4X na mababang-konsumong kuryente, ito ay sumusuporta sa data rate na hanggang 4266Mbps habang gumagana sa VDD2 = 0.6V, na malaki ang nagpapababa sa konsumo ng kuryente sa sistema.

Ang mataas na bandwidth at mababang latency nito ay ginagawa itong angkop para sa imaging pipeline, AI workload, pag-render ng multimedia, at iba pang real-time na high-performance embedded application.

Mga Pangunahing katangian

• Micron LPDDR4X high-bandwidth, low-power platform
• 4GB density (512M × 32 organization)
• Data rate hanggang 4266Mbps
• Ultra-low-voltage operation (VDD2 = 0.6V)
• Optimized para sa parallel imaging, video, at AI workloads
• Ang arkitektura ng Bank Group ay nagpapabuti sa throughput
• Kakayahang umangkop na pang-industriya para sa matagalang pag-deploy
• FBGA package na angkop para sa kompakto at embedded na disenyo

Mga larangan ng aplikasyon

• Mga Smartphone at Tablet
• Mga platform sa AIoT para sa edge-computing
• Mga embedded na sistemang pang-industriya, HMI, PLC
• Matalinong surveillance at mga device sa computer vision
• VR/AR, mga sistema sa display, multimedia engines
• Medical imaging at mga portable na instrumento
• Mga sistema ng impormasyon at libangan sa sasakyan (hindi automotive grade; depende sa proyekto)

Pangunahing mga pagtutukoy

Kahilingan ng Quotation

Upang humiling ng presyo para sa MT53E512M32D1ZW-046 AAT:B—kabilang ang availability, lead time, MOQ, detalye ng lot, datasheet, o inirerekomendang kapalit—mangyaring isumite ang iyong RFQ.

Sumusuporta sa spot supply, shortage sourcing, BOM kitting, at pangmatagalang plano para sa production supply.